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1、本文研究了根據(jù)特定的要求將一個(gè)CMOS 0.18工藝輸入信號(hào)為3.3V和5V混合的IO標(biāo)準(zhǔn)單元庫面積縮小的過程。在縮小之前IO庫中基本的單元尺寸是69um X 380um。要求規(guī)定新的IO標(biāo)準(zhǔn)單元庫的最大輸入信號(hào)是3.3V,IO庫中的基本單元尺寸為寬不大于80um,長(zhǎng)不大于250um。IO單元的面積主要決定于它的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu),壓縮以前CMOS基本單元庫用的是級(jí)聯(lián)的MOS管(stacked MOS)ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)。這個(gè)結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是,不采
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