基于CVD法制備碳納米管陣列及其性能研究.pdf

1、由于碳納米管(CNTs)具有優(yōu)越的電學(xué)性能和力學(xué)性能，在電子器件和復(fù)合材料中有廣闊的應(yīng)用前景?；瘜W(xué)氣相沉積法（CVD）具有工藝簡單，產(chǎn)物純度高等優(yōu)點，并且能夠直接在基底上得到碳納米管陣列，是目前使用最多的制備碳納米管陣列的方法。本論文基于 CVD法成功制備了碳納米管陣列，并研究了工藝參數(shù)對不同性質(zhì)的基底上碳納米管陣列生長機理及形貌的影響。
　　本文首先研究了碳納米管陣列在石英（SiO2）基底上的生長，討論了工藝參數(shù)對碳納米管陣列的

2、形貌和結(jié)構(gòu)的影響，并對碳納米管陣列的力學(xué)性能和導(dǎo)電性能進行了測試，討論了碳納米管陣列的一些可能存在的應(yīng)用領(lǐng)域。其次研究了在圖案化的Au/Si和Al/Si基底上碳納米管陣列的生長情況并進行了討論。
　　實驗結(jié)果表明：通過工藝優(yōu)化，在石英基底上實現(xiàn)了碳納米管陣列超長和快速生長，碳納米管陣列最高可達到1.3mm，最快生長速率約為39μm/min。碳納米管陣列在應(yīng)變?yōu)?0％時，塑性形變僅為9.8％；在10次應(yīng)變?yōu)?0％的循環(huán)壓縮后，幾乎無