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文檔簡介
1、隨著集成電路的工藝發(fā)展到超深亞微米階段，集成電路的復(fù)雜度越來越高，特征尺寸也變的越來越小。當集成電路的特征尺寸接近光刻機曝光的系統(tǒng)極限，即特征尺寸接近或小于光刻光源時，硅片上制造出的版圖會出現(xiàn)明顯的畸變。我們把這種現(xiàn)象稱為光學(xué)鄰近效應(yīng)(OPE-Optical Proximity Effect)。為了應(yīng)對光學(xué)鄰近效應(yīng)，工業(yè)界提出了分辨率增強技術(shù)(RET-Resolution Enhancement Technology)，減小設(shè)計版圖與制
2、造版圖之間的誤差。在光刻分辨率增強技術(shù)中，光學(xué)鄰近校正(OPC-Optical Proximity Correction)已成為最重要的技術(shù)。 光學(xué)鄰近校正不是一個一次就能得到精確結(jié)果的過程，它是一個不斷迭代的過程，需要多次驗證修改。于是對已經(jīng)做過OPC的版圖(post-OPC版圖)驗證后的修正就逐漸成為提高OPC質(zhì)量的必需步驟。傳統(tǒng)的Post-OPC版圖的修正需要對整個版圖重做OPC，這樣浪費了前次OPC的結(jié)果，而且可能會引入
3、新的錯誤。于是業(yè)界提出了一種局部修正的辦法——OPC平滑校正技術(shù)，充分利用前次OPC的結(jié)果，對出錯點進行局部修正，以提高效率。 本文研究的對象是原始版圖(pre-OPC版圖)和post-OPC版圖中的圖形。對版圖中最基本的單元進行分析處理，力求得到能夠優(yōu)化OPC的算法。本文提出了一種用于post-OPC版圖修正的多邊形匹配比較的線性算法。算法通過比較pre-OPC和post-OPC的版圖，提取OPC校正時的分段信息和段偏移量，使
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