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文檔簡介
1、鐵電存儲技術(shù)已經(jīng)開始成為存儲技術(shù)領(lǐng)域的新興技術(shù)和重要經(jīng)濟增長點,其基本原理是利用鐵電材料能夠沿著外加電場方向產(chǎn)生極化,且這種極化狀態(tài)可以隨外電場發(fā)生反轉(zhuǎn),因此鐵電存儲器材料一方面要求有高的剩余極化強度,另一方面又要求有好的抗疲勞性,同時還需要有高熱穩(wěn)定性,大保持力,低漏導(dǎo)電流和與半導(dǎo)體集成技術(shù)相兼容的成膜溫度等優(yōu)點,研究已發(fā)現(xiàn)鉍系層狀鐵電材料(BLSF)是鐵電存儲器的最佳候選材料,尤其是同系列SrmBi4Tim+3O3m+3(SBTm)
2、鐵電材料,但是目前不同m值的材料又具有各自致命的弱點而限制了其實用化進程,因此利用固溶、共生、取代和摻雜等技術(shù)對現(xiàn)有BLSF材料進行復(fù)合改性是一種趨勢。這種改性必須建立在掌握該系列不同m材料各自的制備、結(jié)構(gòu)及性能的基礎(chǔ)上??梢?,如果能夠系統(tǒng)分析該系列材料的合成機理,以及相應(yīng)性能隨結(jié)構(gòu)的變化關(guān)系,對制備高性能且實用性的鐵電存儲器材料具有非常重大的意義。 本文研究了同系列SrmBi4Tim+3O3m+3(m=3,4,5和6)鐵電材料
3、,首先成功制備出了m從3到6的鐵電陶瓷,確定了該系列陶瓷材料最佳預(yù)燒溫度是800℃,最佳燒結(jié)溫度分別是900、1090、1180和1190℃,介電常數(shù)隨著m增大而逐漸增大,而對應(yīng)的損耗因子和居里溫度則恰好相反。同時材料的剩余極化強度隨m增大呈減小趨勢,且與m值的奇偶有關(guān)。 其次利用溶膠凝膠法克服了固相反應(yīng)法中反應(yīng)不完全的劣勢而成功制備了Sr3Bi4Ti6O21(SBT6)材料,并通過A位摻Pb制備Pb3xSr3(1-x)Bi4T
4、i6O21材料,因受A位大半徑pb2+的影響,相應(yīng)的居里溫度、介電常數(shù)、損耗因子均隨著Pb摻雜量的增大而逐漸減小。 最后通過A位摻Pb利用溶膠凝膠法制備BTO(m=3)薄膜,一方面由于pb2+較Bi3+半徑大,引起晶格膨脹;另一方面由于A位Bi3+被低價的pb2+取代,因而形成相應(yīng)的帶正電荷的氧空位,同時由于pb2+極化率大,隨著Pb摻雜量的增大,上述各種因素共同作用導(dǎo)致了材料的結(jié)構(gòu)、介電性能和鐵電性能隨著Pb摻雜量發(fā)生了很有規(guī)
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