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1、華中科技大學(xué)博士學(xué)位論文鐵電存儲(chǔ)器用BiLaTiO薄膜的制備及性能研究姓名:郭冬云申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:博士專業(yè):微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師:于軍;王耘波20051212IV生明顯變化,都是 2.8 V;而疲勞性能測(cè)試表明,經(jīng)過(guò) 1×109 次極化反轉(zhuǎn)后,Bi4Ti3O12薄膜剩余極化值下降了 24%,而 Bi3.25La0.75Ti3O12 薄膜則表現(xiàn)出良好的抗疲勞特性,其剩余極化值幾乎沒(méi)有下降。 研究了 MFM 結(jié)構(gòu)和 MFS
2、結(jié)構(gòu) Bi3.25La0.75Ti3O12 薄膜的鐵電性能,在此基礎(chǔ)上探討了襯底對(duì)其鐵電性能的影響。發(fā)現(xiàn)制備在 Pt/Ti/SiO2/Si 襯底上的 Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜的鐵電性能要優(yōu)于制備在 p-Si 襯底上的,主要是直接制備在 p-Si 襯底上的Bi3.25La0.75Ti3O12 薄膜,在 F-S 界面處形成一層低介電常數(shù)的氧化物薄膜層(一般為SiOx) ,這種硅氧層對(duì)薄膜的鐵電性能會(huì)產(chǎn)生破壞性的影響。 首次利
3、用慢正電子束技術(shù)研究了鐵電薄膜中 O V ??缺陷的作用, 證實(shí)了 La 摻雜降低了 Bi4Ti3O12 鐵電薄膜中 O V ??缺陷濃度,增強(qiáng)了(Bi2Ti3O10)2-層中 O2-離子的穩(wěn)定性,達(dá)到提高 Bi4Ti3O12 鐵電薄膜抗疲勞特性的目的。為研究新型抗疲勞 Bi 系層狀鐵電薄膜提供了有價(jià)值的參考依據(jù)。 關(guān)鍵詞: 關(guān)鍵詞:鐵電存儲(chǔ)器 鐵電薄膜 Sol-Gel 法 Bi4Ti3O12 Bi3.25L
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