鐵電存儲器用bi,3.25la,0.75ti,3o,12薄膜的制備及性能研究

1、華中科技大學博士學位論文鐵電存儲器用BiLaTiO薄膜的制備及性能研究姓名：郭冬云申請學位級別：博士專業(yè)：微電子學與固體電子學指導教師：于軍;王耘波20051212IV生明顯變化，都是 2.8 V；而疲勞性能測試表明，經(jīng)過 1×109 次極化反轉(zhuǎn)后，Bi4Ti3O12薄膜剩余極化值下降了 24%，而 Bi3.25La0.75Ti3O12 薄膜則表現(xiàn)出良好的抗疲勞特性，其剩余極化值幾乎沒有下降。 研究了 MFM 結(jié)構(gòu)和 MFS

2、結(jié)構(gòu) Bi3.25La0.75Ti3O12 薄膜的鐵電性能，在此基礎(chǔ)上探討了襯底對其鐵電性能的影響。發(fā)現(xiàn)制備在 Pt/Ti/SiO2/Si 襯底上的 Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜的鐵電性能要優(yōu)于制備在 p-Si 襯底上的，主要是直接制備在 p-Si 襯底上的Bi3.25La0.75Ti3O12 薄膜，在 F-S 界面處形成一層低介電常數(shù)的氧化物薄膜層（一般為SiOx） ，這種硅氧層對薄膜的鐵電性能會產(chǎn)生破壞性的影響。 首次利

3、用慢正電子束技術(shù)研究了鐵電薄膜中 O V ??缺陷的作用， 證實了 La 摻雜降低了 Bi4Ti3O12 鐵電薄膜中 O V ??缺陷濃度，增強了(Bi2Ti3O10)2-層中 O2-離子的穩(wěn)定性，達到提高 Bi4Ti3O12 鐵電薄膜抗疲勞特性的目的。為研究新型抗疲勞 Bi 系層狀鐵電薄膜提供了有價值的參考依據(jù)。 關(guān)鍵詞： 關(guān)鍵詞：鐵電存儲器 鐵電薄膜 Sol-Gel 法 Bi4Ti3O12 Bi3.25L