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1、:Y鹋33l|2後旦大擎碩士學(xué)位論文學(xué)校代碼:10246學(xué)導(dǎo):032021085適用于高性能VLSI的噪聲免疫動(dòng)態(tài)CMOS電路設(shè)計(jì)院專姓系:信息科學(xué)與工程學(xué)院業(yè):微電子學(xué)與固體電子學(xué)名:賴練章指導(dǎo)教師:湯庭鰲教授完成日期:2006年5月20日本文在詳細(xì)分析現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上,提出新型的抗噪聲技術(shù)。具體說(shuō)束,本論文共分為六章。其中前兩章主要是總結(jié)前人的研究成果;后四章則是提出解決方案。本文提出的新型電路技術(shù)已經(jīng)有了較為完善的研究成果,主要內(nèi)
2、容有:(1)新型電路技術(shù)的系列結(jié)構(gòu)、改進(jìn)結(jié)構(gòu)、所應(yīng)用的時(shí)鐘策略和基本原理:(2)新型電路技術(shù)涉及的有關(guān)時(shí)間量、分析模型、參數(shù)設(shè)置以及其依據(jù)、抗噪聲能力表征手段和影響抗噪聲能力的量的定義等等;(3)在01斷m/1。8V的工藝下進(jìn)行多次模擬,與現(xiàn)有的典型技術(shù)進(jìn)行比較,指出新型抗噪聲技術(shù)在實(shí)現(xiàn)極強(qiáng)抗噪聲能力情況下具有高速度的結(jié)論;(4)對(duì)新型電路技術(shù)的一些應(yīng)用做了展望,并對(duì)全文進(jìn)行總結(jié)。關(guān)鍵詞:動(dòng)態(tài)CMOS邏輯電路;噪聲免疫力;求值階段;預(yù)充
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