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1、近年來,由于電子器件的微型化和高集成度,功能陶瓷薄膜的制備越來越受到重視。電路當(dāng)中的大電流現(xiàn)象例如浪涌電壓常常導(dǎo)致器件產(chǎn)生誤動(dòng)作、器件損壞等各種各樣的嚴(yán)重問題。因此,研究具有壓敏特性的薄膜對(duì)于集成電路微小型器件的保護(hù)十分重要。鈦酸鍶陶瓷不僅具備良好的壓敏特性,同時(shí)還具有一定的電容性,在過電壓保護(hù)的同時(shí)還兼有濾除噪聲的功能。基于鈦酸鍶陶瓷的以上優(yōu)點(diǎn),有必要進(jìn)行鈦酸鍶基電容-電壓敏薄膜的制備工藝研究。本論文主要研究制備鈦酸鍶電容-電壓敏薄膜
2、的制備。 采用溶膠-凝膠的方法制備純的鈦酸鍶薄膜。在改變單一因素的條件下,選定水-鈦比、水-冰醋酸比、乙醇用量、退火溫度、陳化時(shí)間薄膜層數(shù)、等因素進(jìn)行實(shí)驗(yàn),經(jīng)過XRD的分析,分別研究了這些因素對(duì)于成膜的影響,為制備摻雜的鈦酸鍶薄膜提供依據(jù)。實(shí)驗(yàn)中得出了制備鈦酸鍶薄膜的典型工藝條件,即水鈦比(mol比)40∶1,水酸比(體積比)1.4∶1,乙醇用量10ml,退火溫度850℃,陳化時(shí)間1小時(shí)。 選定施主、受主雜質(zhì)的種類進(jìn)行摻
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