高壓BiCMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì).pdf

1、隨著集成電路設(shè)計(jì)和加工技術(shù)的發(fā)展，電子信息產(chǎn)品或系統(tǒng)對(duì)模擬集成電路性能和性價(jià)比的要求越來越高，為了滿足不同應(yīng)用場合，應(yīng)用條件下的需求，人們必須針對(duì)不同的用戶需求來設(shè)計(jì)電路。BiCMOS工藝在電路設(shè)計(jì)方面既具備CMOS電路的特點(diǎn)，又兼?zhèn)潆p極工藝的一些優(yōu)點(diǎn)，因此得到了較為廣泛的應(yīng)用。而放大器作為模擬集成電路和混合信號(hào)集成電路中的最基本單元，有必要對(duì)其進(jìn)行深入的研究。 本論文的主要工作是設(shè)計(jì)一種高壓高性能的BiCMOS運(yùn)算放大器電路，

2、電路主放大級(jí)采用基本的兩級(jí)放大結(jié)構(gòu)，使用Miller補(bǔ)償技術(shù)來實(shí)現(xiàn)高增益高穩(wěn)定性，放大電路偏置部分采用共源共柵結(jié)構(gòu)，電源抑制比、共模抑制特性比較好，輸出采用兩級(jí)發(fā)射級(jí)跟隨結(jié)構(gòu)，極大地提高了電路的驅(qū)動(dòng)能力。此外，還針對(duì)電路單位增益瞬態(tài)響應(yīng)上升和下降時(shí)間進(jìn)行了多目標(biāo)優(yōu)化分析。 論文在ASMC1．2umBCD高壓工藝條件下，利用Hspice仿真軟件對(duì)電路的相關(guān)性能指標(biāo)進(jìn)行了仿真分析，并使用Hspice優(yōu)化模塊對(duì)電路進(jìn)行優(yōu)化分析，滿足指