基于鈷硅化物電遷移現(xiàn)象的新電熔絲結構設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、為了提高集成電路的生產(chǎn)率，避免芯片中部分器件失效而導致整個電路失效，而引入了基于熔絲技術的冗余技術。電編程熔絲（eFUSE）以其體積小、成本低廉、可縮小性強、可以在封裝之后再進行配置等眾多優(yōu)點，因而其在現(xiàn)代集成電路設計中扮演著越來越重要的角色。 本文首先總結了eFUSE 當前的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀，深入分析了影響熔絲結構的各項參數(shù)，并且對現(xiàn)有結構進行深入分析，指出當前結構存在的瓶頸問題，并且提出了結構優(yōu)化的具體方案。接著對項目方案進行

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