TATB的重結(jié)晶工藝研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩60頁(yè)未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、目前晶形修飾劑在炸藥晶體形貌控制過(guò)程中得到了廣泛的應(yīng)用,晶種法可以有效改善晶體的粒徑分布。在重結(jié)晶TATB過(guò)程中將兩者結(jié)合使用,有助于得到高品質(zhì)TATB晶體。
  本文采用MS研究了TATB重要生長(zhǎng)晶面與晶形修飾劑間的相互作用。在冷卻重結(jié)晶過(guò)程中探討了晶形修飾劑、攪拌速度、冷卻方式、TATB/DMSO飽和溶液初始冷卻溫度和晶種法對(duì)TATB晶形及粒度分布的影響,并從晶體生長(zhǎng)理論的角度分析解釋。通過(guò)SEM、XRD、HPLC、微米粒度測(cè)

2、試儀和DSC對(duì)TATB晶體進(jìn)行分析測(cè)試。
  MS模擬結(jié)果表明:(1-10)、(100)和(010)晶面主要通過(guò)氫鍵作用吸附含有極性基團(tuán)的晶形修飾劑;而(001)晶面主要通過(guò)π-π相互作用吸附含苯環(huán)晶形修飾劑。在重結(jié)晶TATB過(guò)程中通過(guò)添加不同種類(lèi)的晶形修飾劑,有效改變晶面表面能,從而改變晶面的相對(duì)生長(zhǎng)速率,得到目標(biāo)晶形。這為T(mén)ATB晶形控制選擇晶形修飾劑提供了理論依據(jù)。
  通過(guò)單因素實(shí)驗(yàn)研究,確定了制備目標(biāo)晶形TATB的

3、冷卻重結(jié)晶最佳工藝條件:125℃的TATB/DMSO飽和溶液以1℃/min線性降溫至75℃,然后自然冷卻,若選用0.496%TW-20,攪拌為300 r/min時(shí)可以得到粒徑分布比較狹窄的類(lèi)球狀TATB晶體,純度為99.82%;而選用0.478% TEBAC,攪拌為100 r/min時(shí)可以得到片狀TATB晶體,純度為99.83%。進(jìn)一步研究表明,在上述球形化TATB最佳條件下,晶種法的引入能使重結(jié)晶所得的TATB晶形更加規(guī)則,粒徑分布更

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論