TATB的重結晶工藝研究.pdf

1、目前晶形修飾劑在炸藥晶體形貌控制過程中得到了廣泛的應用，晶種法可以有效改善晶體的粒徑分布。在重結晶TATB過程中將兩者結合使用，有助于得到高品質TATB晶體。
　　本文采用MS研究了TATB重要生長晶面與晶形修飾劑間的相互作用。在冷卻重結晶過程中探討了晶形修飾劑、攪拌速度、冷卻方式、TATB/DMSO飽和溶液初始冷卻溫度和晶種法對TATB晶形及粒度分布的影響，并從晶體生長理論的角度分析解釋。通過SEM、XRD、HPLC、微米粒度測

2、試儀和DSC對TATB晶體進行分析測試。
　　MS模擬結果表明:（1-10）、(100)和(010)晶面主要通過氫鍵作用吸附含有極性基團的晶形修飾劑;而(001)晶面主要通過π-π相互作用吸附含苯環(huán)晶形修飾劑。在重結晶TATB過程中通過添加不同種類的晶形修飾劑，有效改變晶面表面能，從而改變晶面的相對生長速率，得到目標晶形。這為TATB晶形控制選擇晶形修飾劑提供了理論依據(jù)。
　　通過單因素實驗研究，確定了制備目標晶形TATB的

3、冷卻重結晶最佳工藝條件:125℃的TATB/DMSO飽和溶液以1℃/min線性降溫至75℃，然后自然冷卻，若選用0.496％TW-20，攪拌為300 r/min時可以得到粒徑分布比較狹窄的類球狀TATB晶體，純度為99.82％;而選用0.478％ TEBAC，攪拌為100 r/min時可以得到片狀TATB晶體，純度為99.83％。進一步研究表明，在上述球形化TATB最佳條件下，晶種法的引入能使重結晶所得的TATB晶形更加規(guī)則，粒徑分布更