0.13微米soicmos商用工藝開發(fā)

1、目錄摘要1Abstract3弓I言6第一章SOI技術(shù)工藝基礎(chǔ)和器件特性一一8第11節(jié)SOI襯底硅片加工技術(shù)和本課題采用的SOI襯底硅片類型8第12節(jié)在S01工藝中常用的關(guān)鍵工藝和本課題采用的工藝13第13節(jié)SOI晶體管體引出方式16第14節(jié)SOI器件特性19第15節(jié)SOI器件優(yōu)點23第二章013微米S01CMOS工藝開發(fā)26第21節(jié)淺槽隔離工藝模塊27第22節(jié)柵工藝模塊36第23節(jié)源漏工程39第24節(jié)互連工藝41第三章013微米SOIC

2、MOS工藝器件特性43第31節(jié)體引出器件的形式與面積一43第32節(jié)器件的電氣參數(shù)44第33節(jié)器件的泄漏電流51第34節(jié)自加熱效應(yīng)“57第35節(jié)浮體器件的線性區(qū)KINK效應(yīng)一40第四章結(jié)論一一一一一一一66參考文獻一一一”一一一一一一一一一68致射一一”一一一一一一一一69U33伏體引出NMOS晶體管的輸出特性曲線上，也觀察到漏端電流隨著漏端電壓變大而變小的負微分現(xiàn)象。這是SOl產(chǎn)生的自加熱現(xiàn)象。12伏體引出NMOS晶體管的輸出特性曲線上

3、，沒有觀察到白加熱現(xiàn)象現(xiàn)象，是由于12伏體引出NMOS晶體管的功耗比較低、產(chǎn)生的熱比較少，自加熱現(xiàn)象比較不明顯。SOI12伏體引出NMOS晶體管，與體硅12伏NMOS晶體管相比，沒有表現(xiàn)出泄漏電流低的優(yōu)勢。經(jīng)分析發(fā)現(xiàn)，是由于本課題的SOI工藝配置，屬于常規(guī)工藝技術(shù)，非低漏電工藝技術(shù)。晶體管泄漏電流，主要是由亞閾值漏電引起。SOl晶體管的結(jié)漏電低的優(yōu)勢，無法體現(xiàn)。而013微米SOI工藝，和與之比較的013微米體硅工藝之間的工藝差別，例如，

4、柵氧、源漏、阱、熱預(yù)算、淺槽隔離結(jié)構(gòu)等差異造成的晶體管的溝道亞閾值漏電不同，是上述SOI體引出晶體管比體硅晶體管的泄漏電偏高的原因。在12伏浮體器件上觀察到了線性區(qū)KINK效應(yīng)，是12伏器件的薄柵氧的隧穿電流產(chǎn)生的空穴積累在NMOS浮空體區(qū)，引起體電位升高，跨導(dǎo)曲線上出現(xiàn)第二個峰，也就是線性區(qū)KINK效應(yīng)。通過上述實驗和研究，解決了公司在開發(fā)O13微米SOl工藝過程中遇到的工藝問題，深化對本工藝的器件特性了解和掌握，完成了O13微米SO