3.-第三章--固體量子理論初步

1、,,,,,,第三章 固體量子理論初步,固體量子理論初步——主要內(nèi)容,3.1 允帶和禁帶,允帶(allowed band，permissible band): 在能帶結(jié)構(gòu)中，允許電子能量存在的能量范圍。,禁帶(Forbidden Band) 在能帶結(jié)構(gòu)中能態(tài)密度為零的能量區(qū)間。常用來表示價帶和導(dǎo)帶之間的能態(tài)密度為零的能量區(qū)間,3.1 允帶和禁帶,（a）獨立氫原子的概率密度函數(shù) （b）兩個近距離氫原子的交疊的

2、概率密度函數(shù) （c）n=1狀態(tài)的分裂,3.1.1能帶的形成,硅原子的能帶,3.1.2 克龍尼克-潘納模型,,克龍尼克-潘納模型,3.1.3 k空間能帶圖,k空間能帶圖,k空間能帶圖,簡約布里淵區(qū),,圖3.10 E-k關(guān)系中不同允帶區(qū)以2為周期進行平移,圖3.11 E-k關(guān)系圖的簡約布里淵區(qū),布里淵區(qū),3.2 固體中電的傳導(dǎo),3.2.1 能帶和鍵模型,能帶和鍵模型,能帶和鍵模型,E-k關(guān)系圖,E-k關(guān)系圖,,,3.2.3 電子有效質(zhì)量,

3、電子有效質(zhì)量與E-k曲線,,電子有效質(zhì)量,電子有效質(zhì)量的意義,3.2.4 空穴的概念,空穴的運動,空穴的運動,3.2.5 金屬、絕緣體、半導(dǎo)體能帶圖,金屬、絕緣體、半導(dǎo)體能帶圖,,,三維擴展,硅和砷化鎵的能帶圖,狀態(tài)密度函數(shù),量子態(tài)密度的計算,束縛在三維有限深勢井中的質(zhì)量為m的電子的模型，推導(dǎo)了有效量子態(tài)密度,導(dǎo)帶底有效質(zhì)量為m*的電子有效能態(tài)密度,,價帶頂有效質(zhì)量為m*的電子有效能態(tài)密度,計算,P64 E3.2E3.3,統(tǒng)計力學(xué),統(tǒng)