先進(jìn)led封裝總結(jié)

1、技術(shù)名稱國(guó)家作者文獻(xiàn)來源技術(shù)特點(diǎn)取得成果存在問題備注倒裝式封裝將芯片倒裝揮接到高熱導(dǎo)率的基板上這樣有源區(qū)發(fā)出的光子通過透明的藍(lán)寶石襯底出射有源層散熱通道短熱量通過燥點(diǎn)直接傳導(dǎo)到基板。該封裝形式顛覆了傳統(tǒng)的LED器件封裝工藝擁有良好的力、熱、光和電特性路明公司1998年研制出功率型倒裝芯片結(jié)構(gòu)。封裝設(shè)備復(fù)雜封裝成本較高倒裝式封裝示意圖如圖一直接板上封裝技術(shù)中國(guó)周行龍白光LED封裝中熒光粉直涂工藝研究南昌大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文將LED芯片直

2、接固品到基板上用小功率的芯片集成大功率模塊的一種封裝方式。因?yàn)橹苯庸叹г诨迳纤纳嵬ǖ朗嵌探缑嫔偕崦骅状蠊示哂休^低熱阻和流明效率，并且節(jié)省了封裝材料簡(jiǎn)化了封裝工藝與流程易美芯光MCl522型cob封裝在100mA的電流下顯色性約為83流明效率1081m。COB封裝已經(jīng)成為L(zhǎng)ED固態(tài)照明行業(yè)新的研究熱點(diǎn)將廣泛的應(yīng)用于家居照明、戶外和商業(yè)照明領(lǐng)域直接板上封裝器件實(shí)物照片如圖二多顆LED芯片的封裝中國(guó)程婷大功率白光LED照明器件中散熱問

3、題的研究華中科技大學(xué)博士學(xué)位論文采用了多芯片封裝為一個(gè)模塊的形式或者是多個(gè)單顆芯片的模組封裝為一個(gè)器件的形式。LED陣列的設(shè)計(jì)理念就是把多個(gè)LED芯片集成在一個(gè)小模塊里從而得到高光通量的光源。在LED器件的照明應(yīng)用中為達(dá)到相應(yīng)的照明亮度的要求通常采用了多芯片封裝為一個(gè)模塊的形式或者是多個(gè)單顆芯片的模組封裝為一個(gè)器件的形式多芯片封裝在提高了總光通量的同時(shí)也帶來了一個(gè)散熱問題LED多芯片陣列封裝如圖三LED多模組陣列封裝如圖四LTCC基板用

4、于LED的封裝中國(guó)劉明周洪慶劉敏謝文濤朱?？麹ED封裝用玻璃Al2O3系LTCC基板材料的性能南京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)2013年04期由美國(guó)休斯頓公司于1982年開發(fā)的LTCC材料具有價(jià)格便宜，能耗低，燒結(jié)過程Ag布線不會(huì)被氧化，無需氣氛保護(hù)，安全等優(yōu)點(diǎn)，而且LTCC在設(shè)計(jì)靈活性、生產(chǎn)的連續(xù)性和可靠性方面提供了巨大的潛能，因此LTCC成為大功率LED封裝的主流技術(shù)。由于硼硅玻璃具有緣性好、熱穩(wěn)定性好、介電常數(shù)低、介電損耗小等優(yōu)點(diǎn)而受到了廣泛的關(guān)

5、注。張擎雪在組成為PbOSiO2B2O3K2OAl2O3的鉛硼硅酸鹽玻璃(軟化點(diǎn)為816℃)中加入AlN，燒結(jié)溫度為900～1000℃，得到最大相對(duì)密度為99.1%、介電常數(shù)為7～9、介質(zhì)損耗為10－3的復(fù)合材料。AlN的價(jià)格較貴，而且燒結(jié)氣氛要求嚴(yán)格，造成了玻璃AlN基板生產(chǎn)成本較高，難以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化厚膜涂層工藝制備的鉬金屬化陶瓷基板用于LED封裝中國(guó)劉春佳劉盈霞宋久鵬彭福生于洋LED封裝用新型高性能陶瓷基板的制備與性能研究消費(fèi)日?qǐng)?bào)20

6、13.02.21TFC陶瓷基板采用厚膜涂層技術(shù)，直接將金屬漿料涂覆到陶瓷板上，然后進(jìn)行燒結(jié)得到具有一定導(dǎo)電線路的LED用COB陶瓷基板。TFC的工藝簡(jiǎn)單，可靠性較高，相對(duì)比較成熟，效率也很高，更利于產(chǎn)業(yè)化。1.虹鷺公司針對(duì)LED的COB封裝結(jié)構(gòu)，開發(fā)設(shè)計(jì)并制備得到了專有的MoAu金屬化TFC陶瓷基板，其導(dǎo)熱系數(shù)和膨脹系數(shù)優(yōu)于市面上的傳統(tǒng)鋁基板。2.與Ag漿陶瓷基板相比，虹鷺的TFC陶瓷基板的金屬化層與陶瓷的結(jié)合力大大提高，可靠性和穩(wěn)定性