多晶硅生產(chǎn)文獻(xiàn)名稱(chēng)

1、多晶硅生產(chǎn)多晶硅生產(chǎn)1、多晶硅薄膜制備工藝研究多晶硅薄膜集晶體硅和非晶硅材料優(yōu)點(diǎn)于一身克服了光致衰退與現(xiàn)有的太陽(yáng)能電池研究生產(chǎn)技術(shù)具有兼容性有可能成為制作太陽(yáng)能電池的廉價(jià)優(yōu)質(zhì)材料。等離子體輔助化學(xué)氣相沉積方法(PECVD)是制備薄膜材料的幾種方法中技術(shù)最為成熟、操作較為簡(jiǎn)單的一種并且可以制備均勻性高的大面積薄膜。但是采用PECVD方法沉積多晶硅薄膜仍面臨著兩大難題:一是薄膜的晶化率有待提高二是薄膜的生長(zhǎng)速率也有待提高。薄膜的晶化率決定電

2、池的性能生長(zhǎng)速率決定其成本因此高速制備優(yōu)質(zhì)薄膜是制作太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵。為解決這些問(wèn)題目前研究人員多致力于沉積條件的優(yōu)化以及如“二次晶化”等輔助手段的采用。本文采用PECVD方法系統(tǒng)研究了沉積溫度、襯底、射頻功率、氫稀釋比、磷摻雜等沉積參數(shù)對(duì)多晶硅薄膜結(jié)晶狀態(tài)及光電性能的影響并對(duì)沉積出的多晶硅薄膜進(jìn)行了固相晶化............共43頁(yè)2、多晶硅薄膜的制備和表征在制備高質(zhì)量多晶硅薄膜方面做了些探索性的工作通過(guò)激光Raman譜和X射線(xiàn)

3、衍射儀(XRD)對(duì)熱處理前后的等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)法和電子束蒸發(fā)(EBE)法所制的硅薄膜進(jìn)行了分析。首先以PECVD法為硅薄膜制備技術(shù)實(shí)驗(yàn)取得了如下結(jié)果:對(duì)PECVD法制備多晶硅薄膜的六個(gè)影響參數(shù)的調(diào)節(jié)方案是固定五個(gè)參數(shù)而調(diào)節(jié)余下的一個(gè)參數(shù)。其中五個(gè)參數(shù)皆有三個(gè)對(duì)應(yīng)的可調(diào)值:氫氣和硅烷氣體流量比有100sccm1sccm、100sccm5sccm和50sccm5sccm射頻功率有50W、30W和10W襯底溫度有350℃、2

4、00℃和常溫工作壓強(qiáng)有24Pa、48Pa和72Pa而沉積時(shí)............共64頁(yè)3、太陽(yáng)能電池用多晶硅薄膜的研究研究了多晶硅薄膜的制備方法，低溫下快速光熱退火(RPTA)和高溫下陶瓷襯底上快熱化學(xué)氣相沉積(RTCVD)，硅膜的生長(zhǎng)及區(qū)熔再結(jié)晶(ZMR)，用高溫方式在陶瓷襯底上做了太陽(yáng)電池的嘗試，在高溫方式下做了層轉(zhuǎn)移新方式的探索。1等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是低溫沉積硅膜的主要方法。本文的第二章中對(duì)PECVD沉積多晶

5、硅薄膜做了研究。分析了不同沉積溫度、襯底、射頻功率、氫稀釋比、磷摻雜等參數(shù)對(duì)多晶硅薄膜結(jié)晶狀態(tài)及光電性能的影響。2固相晶化法(SPC)是制備大晶粒多晶硅薄膜的主要方法。本文的第三章對(duì)SPC，特別是對(duì)鹵鎢燈............共160頁(yè)4、在柔性襯底上制備多晶硅薄膜的研究主要研究柔性襯底材料上多晶硅薄膜的制備，并對(duì)生長(zhǎng)過(guò)程和薄膜性質(zhì)進(jìn)行分析表征。與非晶硅薄膜相比，多晶硅薄膜具有可與晶體硅相比擬的高遷移率，結(jié)構(gòu)和性能穩(wěn)定，沒(méi)有嚴(yán)重的光致

6、衰減效應(yīng)，可作為理想的光伏器件材料；另一方面薄膜太陽(yáng)電池的襯底對(duì)光伏器件的性能和應(yīng)用范圍也有重要的影響，柔性襯底材料具有可卷曲、質(zhì)量輕、便于運(yùn)輸、易于大面積卷軸生產(chǎn)以及用途廣泛等優(yōu)點(diǎn)，發(fā)展前景廣闊。因此，在柔性襯底材料上制備多晶硅薄膜具有重要的科學(xué)意義和應(yīng)用前景。分別利用熱絲化學(xué)沉積法、等離子體增強(qiáng)氣相沉積法以及金屬誘導(dǎo)法制備硅薄膜，應(yīng)用場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡對(duì)薄膜形貌進(jìn)行觀察，應(yīng)用激光拉曼譜儀和X射線(xiàn)衍射儀對(duì)薄膜結(jié)晶性進(jìn)行分析........

7、....共72頁(yè)5、熱絲化學(xué)氣相沉積制備多晶硅薄膜的研究主要內(nèi)容是熱絲化學(xué)氣相沉積制備多晶硅薄膜工藝的研究及利用鋁誘導(dǎo)固相晶化法增大晶粒尺寸的研究。采用自行加工設(shè)計(jì)的HWCVD系統(tǒng)制備多晶硅薄膜系統(tǒng)研究了不同沉積參數(shù)(沉積氣壓、襯底溫度、45、低溫多晶硅薄膜的制造方法46、低溫多晶硅薄膜晶體管及其多晶硅層的制造方法47、多晶硅薄膜晶體管及其制造方法48、多晶硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率的測(cè)試方法49、低溫多晶硅薄膜晶體管及其制造方法50、低溫多

8、晶硅薄膜的制造方法及低溫多晶硅薄膜晶體管51、低溫多晶硅薄膜電晶體的結(jié)構(gòu)52、采用多晶硅柵和金屬柵器件的半導(dǎo)體芯片53、將非晶硅轉(zhuǎn)換為多晶硅的方法54、03142448.1A低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法55、低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法56、薄膜晶體管的多晶硅制造方法57、多晶硅薄膜的制造方法58、多晶硅層的處理方法59、低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法60、多晶硅層的結(jié)晶方法61、低溫多晶硅平面顯示面板62、多晶硅薄膜的制造方法63

9、、形成多晶硅層及多晶硅薄膜晶體管的方法64、形成多晶硅層的方法65、多晶硅的蝕刻方法66、多晶硅襯底和太陽(yáng)能電池的制備方法67、形成多晶硅結(jié)構(gòu)68、在半導(dǎo)體制程中避免多晶硅縱樑形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)69、利用自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制程形成多晶硅電容器的方法70、制備多晶硅的方法71、多晶硅的定向生長(zhǎng)方法72、一種在陶瓷襯底上沉積大晶粒多晶硅薄膜的方法73、低溫多晶硅薄膜的制造方法74、多晶硅細(xì)脈熔絲75、具有多晶硅薄膜晶體管的平板顯示裝置76、多

10、柵雙溝道結(jié)構(gòu)的多晶硅薄膜晶體管77、一種抑制多晶硅針孔的多晶硅層緩沖局部場(chǎng)氧化硅結(jié)構(gòu)工藝方法78、形成T型多晶硅柵極的方法79、形成具高電阻值的多晶硅薄膜的方法80、多晶硅氫還原爐81、低溫多晶硅薄膜電晶體基板及其制作方法82、低溫多晶硅顯示裝置及其制作方法83、形成多晶硅鍺層的方法84、彩色多晶硅微粒及其制備方法85、以連續(xù)式側(cè)向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩圖案86、底柵控制型多晶硅薄膜晶體管的制造方法87、多晶硅化金屬柵極結(jié)構(gòu)及