模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課后答案完整版

1、第三部分第三部分習(xí)題與解答習(xí)題與解答習(xí)題習(xí)題1客觀檢測題客觀檢測題一、填空題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度，而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時，擴(kuò)散電流大于漂移電流，耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時，擴(kuò)散電流小于漂移電流，耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。二判斷題二判斷題1、由于P型半導(dǎo)體中含有大量空穴載流子，N型半導(dǎo)體中含有大量電子載流

2、子，所以P型半導(dǎo)體帶正電，N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。（）2、在N型半導(dǎo)體中，摻入高濃度三價元素雜質(zhì)，可以改為P型半導(dǎo)體。（√）3、擴(kuò)散電流是由半導(dǎo)體的雜質(zhì)濃度引起的，即雜質(zhì)濃度大，擴(kuò)散電流大；雜質(zhì)濃度小，擴(kuò)散電流小。（）4、本征激發(fā)過程中，當(dāng)激發(fā)與復(fù)合處于動態(tài)平衡時，兩種作用相互抵消，激發(fā)與復(fù)合停止。（）5、PN結(jié)在無光照無外加電壓時，結(jié)電流為零。（√）6、溫度升高時，PN結(jié)的反向飽和電流將減小。（）7、PN結(jié)加正向電壓時，空間電荷區(qū)將變寬。（

3、）三簡答題三簡答題1、PN結(jié)的伏安特性有何特點(diǎn)？答：根據(jù)統(tǒng)計物理理論分析，PN結(jié)的伏安特性可用式表示。)1e(IITVVsD???式中，ID為流過PN結(jié)的電流；Is為PN結(jié)的反向飽和電流，是一個與環(huán)境溫度和材料等有關(guān)的參數(shù)，單位與I的單位一致；V為外加電壓；VT=kTq，為溫度的電壓當(dāng)量（其單位與V的單位一致），其中玻爾茲曼常數(shù)，電子電量k.JK???2313810PN結(jié)電容由勢壘電容Cb和擴(kuò)散電容Cd組成。勢壘電容Cb是由空間電荷區(qū)引

4、起的?？臻g電荷區(qū)內(nèi)有不能移動的正負(fù)離子，各具有一定的電量。當(dāng)外加反向電壓變大時，空間電荷區(qū)變寬，存儲的電荷量增加；當(dāng)外加反向電壓變小時，空間電荷區(qū)變窄，存儲的電荷量減小，這樣就形成了電容效應(yīng)。“墊壘電容”大小隨外加電壓改變而變化，是一種非線性電容，而普通電容為線性電容。在實際應(yīng)用中，常用微變電容作為參數(shù)，變?nèi)荻O管就是勢壘電容隨外加電壓變化比較顯著的二極管。擴(kuò)散電容Cd是載流子在擴(kuò)散過程中的積累而引起的。PN結(jié)加正向電壓時，N區(qū)的電子向

5、P區(qū)擴(kuò)散，在P區(qū)形成一定的電子濃度(Np)分布，PN結(jié)邊緣處濃度大，離結(jié)遠(yuǎn)的地方濃度小，電子濃度按指數(shù)規(guī)律變化。當(dāng)正向電壓增加時，載流子積累增加了△Q；反之，則減小，如圖1.3.3所示。同理，在N區(qū)內(nèi)空穴濃度隨外加電壓變化而變化的關(guān)系與P區(qū)電子濃度的變化相同。因此，外加電壓增加△V時所出現(xiàn)的正負(fù)電荷積累變化△Q，可用擴(kuò)散電容Cd來模擬。Cd也是一種非線性的分布電容。綜上可知，勢壘電容和擴(kuò)散電容是同時存在的。PN結(jié)正偏時，擴(kuò)散電容遠(yuǎn)大于勢

6、壘電容；PN結(jié)反偏時，擴(kuò)散電容遠(yuǎn)小于勢壘電容。勢壘電容和擴(kuò)散電容的大小都與PN結(jié)面積成正比。與普通電容相比，PN結(jié)電容是非線性的分布電容，而普通電容為線性電容。習(xí)題習(xí)題2客觀檢測題客觀檢測題一、填空題一、填空題1、半導(dǎo)體二極管當(dāng)正偏時，勢壘區(qū)變窄，擴(kuò)散電流大于漂移電流。2、在常溫下，硅二極管的門限電壓約0.6V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約0.7V；鍺二極管的門限電壓約0.1V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約0.2V。3、在常溫下，發(fā)