電子科技大學(xué)微電子器件習(xí)題

1、電子科技大學(xué)微電子器件習(xí)題第二章PN結(jié)填空題1、若某突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為NA=1.51016cm3，則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子濃度np0分別為（）和（）。2、在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中，P區(qū)一側(cè)帶（）電荷，N區(qū)一側(cè)帶（）電荷。內(nèi)建電場(chǎng)的方向是從（）區(qū)指向（）區(qū)。3、當(dāng)采用耗盡近似時(shí)，N型耗盡區(qū)中的泊松方程為（）。由此方程可以看出，摻雜濃度越高，則內(nèi)建電場(chǎng)的斜率越（）。4、PN結(jié)的摻雜濃度越高，則勢(shì)壘區(qū)的長(zhǎng)度就越（）

2、，內(nèi)建電場(chǎng)的最大值就越（），內(nèi)建電勢(shì)Vbi就越（），反向飽和電流I0就越（），勢(shì)壘電容CT就越（），雪崩擊穿電壓就越（）。5、硅突變結(jié)內(nèi)建電勢(shì)Vbi可表為（），在室溫下的典型值為（）伏特。6、當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，其勢(shì)壘區(qū)寬度會(huì)（），勢(shì)壘區(qū)的勢(shì)壘高度會(huì)（）。7、當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加反向電壓時(shí)，其勢(shì)壘區(qū)寬度會(huì)（），勢(shì)壘區(qū)的勢(shì)壘高度會(huì)（）。8、在P型中性區(qū)與耗盡區(qū)的邊界上，少子濃度np與外加電壓V之間的關(guān)系可表示為（）。若P型區(qū)的摻雜濃度17

3、、大注入條件是指注入某區(qū)邊界附近的（）濃度遠(yuǎn)大于該區(qū)的（）濃度，因此該區(qū)總的多子濃度中的（）多子濃度可以忽略。18、勢(shì)壘電容反映的是PN結(jié)的（）電荷隨外加電壓的變化率。PN結(jié)的摻雜濃度越高，則勢(shì)壘電容就越（）；外加反向電壓越高，則勢(shì)壘電容就越（）。19、擴(kuò)散電容反映的是PN結(jié)的（）電荷隨外加電壓的變化率。正向電流越大，則擴(kuò)散電容就越（）；少子壽命越長(zhǎng)，則擴(kuò)散電容就越（）。20、在PN結(jié)開(kāi)關(guān)管中，在外加電壓從正向變?yōu)榉聪蚝蟮囊欢螘r(shí)間內(nèi)，會(huì)