2016年電子科技大學(xué)832 微電子器件考研真題

1、共5頁第1頁電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)2016年攻讀碩士學(xué)位研究生入學(xué)考試試題年攻讀碩士學(xué)位研究生入學(xué)考試試題考試科目：考試科目：832微電子器件微電子器件注：所有答案必須寫在答題紙上，寫在試卷或草稿紙上均無效。注：所有答案必須寫在答題紙上，寫在試卷或草稿紙上均無效。一、填空題（共一、填空題（共44分，每空分，每空1分）分）1、PN結(jié)的內(nèi)建電勢(shì)也稱為擴(kuò)散電勢(shì)，是指耗盡區(qū)中從（）處到（）處的電位差。摻雜濃度越高，內(nèi)建電勢(shì)將越（）。2、根據(jù)耗

2、盡近似和中性近似，在PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)內(nèi)，（）已完全耗盡；而在勢(shì)壘區(qū)之外，（）濃度等于電離雜質(zhì)濃度，維持電中性。3、在相同的電場(chǎng)強(qiáng)度和溫度下，鍺材料和硅材料相比較，碰撞電離率更高的是（），其原因是它的（）更小。4、在計(jì)算實(shí)際PN結(jié)的雪崩擊穿電壓或勢(shì)壘電容時(shí)，如果結(jié)兩側(cè)摻雜濃度相差較小，濃度梯度較小，而結(jié)深較大時(shí)，則可將其近似為（）結(jié)求解。5、溫度升高時(shí)，PN結(jié)的齊納擊穿電壓會(huì)（），因?yàn)椋ǎ╇S溫度升高減小了。6、一個(gè)PN結(jié)二極管在制備完成后對(duì)其

3、進(jìn)行了電子輻照，該二極管的反向恢復(fù)時(shí)間將（），原因是電子輻照在半導(dǎo)體中引入了（）。7、當(dāng)PN結(jié)的正向電流增大時(shí)，其直流增量電阻會(huì)（），擴(kuò)散電容會(huì)（）。（填“變大”，“變小”或“不變”）8、雙極型晶體管的基區(qū)寬度越小，其共發(fā)射極增量輸出電阻越（），厄爾利電壓越（）。（填“大”或“小”）9、雙極型晶體管的發(fā)射結(jié)注入效率是指（）電流與（）電流之比。10、雙極型晶體管的基區(qū)發(fā)生大注入時(shí)，由于基區(qū)載流子濃度急劇增加，其發(fā)射結(jié)注入效率γ會(huì)（）；同時(shí)

4、，和PN結(jié)大注入相類似，基區(qū)內(nèi)會(huì)發(fā)生（）效應(yīng)。11、高頻雙極型晶體管的工作頻率范圍一般在：（）f（）。12、雙極型晶體管的高頻優(yōu)值是指（）與（）的乘積。共5頁第3頁3、下圖是一個(gè)npn雙極型晶體管在不同直流偏置下測(cè)試獲得的特征頻率示意圖。（8分）（1）請(qǐng)解釋為什么在Ic過大和過小時(shí)，特征頻率都會(huì)出現(xiàn)下降？（2）圖中兩條曲線a和b分別是VBC＝－0.5V和－2V的測(cè)試結(jié)果，請(qǐng)指出每條曲線對(duì)應(yīng)的VBC的值，并解釋原因。fT(MHz)IC(m