模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第四習(xí)題解答

1、第1章常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件自測(cè)題一、判斷下列說(shuō)法是否正確，用“”和“√”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體。(√)(2)因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)電。()(3)PN結(jié)在無(wú)光照、無(wú)外加電壓時(shí)，結(jié)電流為零。(√)(4)處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。()(5)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管外加的柵一源電壓應(yīng)使柵一源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其大的特點(diǎn)。

2、(√)GSR(6)若耗盡型N溝道MOS管的大于零，則其輸入電阻會(huì)明顯變小。()GSU二、選擇正確答案填入空內(nèi)。(l)PN結(jié)加正向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將A。A.變窄B.基本不變C.變寬(2)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在C。A.正向?qū)˙.反向截止C.反向擊穿(3)當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為B。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)UGS=0V時(shí)，能夠工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有A、C。A

3、.結(jié)型管B.增強(qiáng)型MOS管C.耗盡型MOS管三、寫(xiě)出圖Tl.3所示各電路的輸出電壓值，設(shè)二極管導(dǎo)通電壓UD=0.7V。3T243310截止區(qū)T34605可變電阻區(qū)解：解：因?yàn)槿还茏泳虚_(kāi)啟電壓，所以它們均為增強(qiáng)型MOS管。根據(jù)表中所示各極電位可判斷出它們各自的工作狀態(tài)，如表Tl.6最后一欄所示。習(xí)題習(xí)題1.1選擇合適答案填入空內(nèi)。(l)在本征半導(dǎo)體中加入(A)元素可形成N型半導(dǎo)體，加入(C)元素可形成P型半導(dǎo)體。A.五價(jià)B.四價(jià)C.三

4、價(jià)(2)當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將(A)。A.增大B.不變C.減小(3)工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)IB從12uA增大到22uA時(shí)，IC從lmA變?yōu)?mA，那么它的β約為(C)。A.83B.91C.100(4)當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時(shí)它的低頻跨導(dǎo)gm將(A)。A.增大；B.不變；C.減小1.2電路如圖P1.2所示，已知(V)，試畫(huà)出與的波形。設(shè)二10siniut??iuou極管導(dǎo)通電壓可忽略不計(jì)。圖P