2012cb619300-g全組分可調(diào)iii族氮化物半導體光電功能材料及其器件應用

1、項目名稱：全組分可調(diào)全組分可調(diào)IIIIII族氮化物半導體光電功族氮化物半導體光電功能材料及其器件應用能材料及其器件應用首席科學家：沈波沈波北京大學北京大學起止年限：2012.12016.82012.12016.8依托部門：教育部教育部中國科學院中國科學院半導體材料的p型摻雜是實現(xiàn)其器件功能的基本環(huán)節(jié)。在AlGaN外延材料中，由于p型摻雜原子離化能隨Al組分不斷提高，導致高Al組分AlGaN材料p型雜質(zhì)的困難。而在高In組分InGaN和I

2、nN外延材料中，存在高達1018cm3以上的背景電子濃度，在其近表面區(qū)域還始終存在高電子濃度的表面電荷層，從而嚴重影響其p型摻雜和檢測。另外，AlGaN和InGaN材料中的p型雜質(zhì)還與其他雜質(zhì)原子和缺陷存在復雜的相互作用，極化電場也對p型摻雜存在明顯的作用。因此，研究降低背景雜質(zhì)的補償行為和實際離化能、探索新的可控p型摻雜方法，是實現(xiàn)AlGaN基和InGaN基材料器件應用的關鍵問題。4、高、高導帶階躍導帶階躍、強極化半極化半導體量子體量

3、子結構中構中電子、光子的運子、光子的運動規(guī)動規(guī)律和性能律和性能調(diào)控作為典型的高導帶階躍、強極化半導體量子結構體系，AlGaN基和InGaN基低維結構中電子、光子的運動及其調(diào)控有其特殊的規(guī)律，如高Al組分AlGaN存在價帶分裂的反轉，對光子沿材料c軸方向的出光產(chǎn)生致命的影響。強極化電場對電子的復合、輸運、自旋等性質(zhì)有重要影響。對AlGaN基和InGaN基低維量子結構材料中電子、光子運動規(guī)律的認識和有效調(diào)控，特別是對電子、光子運動規(guī)律與特定