超高真空CVD技術(shù)生長Ⅳ族半導(dǎo)體材料及其性能研究.pdf

1、浙江大學(xué)博士學(xué)位論文超高真空CVD技術(shù)生長Ⅳ族半導(dǎo)體材料及其性能研究姓名：黃靖云申請學(xué)位級別：博士專業(yè)：半導(dǎo)體材料指導(dǎo)教師：葉志鎮(zhèn)2000.5.1簍苧簍!塑!簍皇蹬!苧查壘苧!!苧簍!堡竺塾壘苧竺苧曼翌—一使趣uⅣ昭vD技術(shù)在850℃低渥下初步生長硅基碳化硅薄膜，對薄膜的組分及結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。在這蟪實驗的基礎(chǔ)七，作者對臨界厚度、表蔭和過渡區(qū)進(jìn)行了深入的理論搽討。穩(wěn)賽簿度靜簪究對si，。Ge蘆i異矮結(jié)鞠豹生長其棗蓬要熬意義。我們在峻爨厚度

2、灼計算中，第一次引入了熱應(yīng)力的影響，锝到了一個顴的臨界厚度理論計算公式，計算值弓People的實驗值更相近。材料表面的組分變化情況、氯化情況對材料的性能有重要的影響，本文；t舔SIMS積XPS手段對我稍生長靜SiGe臺金靜表露進(jìn)行7輯究。發(fā)瑤＆豹綴分在表露，j、予釙延層體痰，我們分援與氧餞傳臻毒關(guān)。陡峭的過渡區(qū)是生長高頻器件的關(guān)鍵，本文對影響過渡區(qū)的各種因素進(jìn)行了分析，第一次提出了組分過渡區(qū)的概念，戍用擴散理論進(jìn)行了分析?？傊?，我們的實