優(yōu)盤與硬盤的區(qū)別

1、優(yōu)盤與硬盤的區(qū)別優(yōu)盤與硬盤的區(qū)別U盤，中文全稱“通用串行總線接口的無(wú)需物理驅(qū)動(dòng)器的微型高容量存儲(chǔ)盤”，英文名“USBflashdisk”。其最大的優(yōu)點(diǎn)就是：小巧便于攜帶、存儲(chǔ)容量大、價(jià)格便宜、性能可靠。閃存盤體積很小，僅大拇指般大小，重量極輕，一般在15克左右，特別適合隨身攜帶，我們可以把它掛在胸前、吊在鑰匙串上、甚至放進(jìn)錢包里。一般的U盤容量有1G、2G、4G、8G、16G、32G等，價(jià)格上以最常見(jiàn)的4Gb為例，70元左右就能買到。存

2、盤中無(wú)任何機(jī)械式裝置，抗震性能極強(qiáng)。另外，閃存盤還具有防潮防磁、耐高低溫等特性，安全可靠性很好。存儲(chǔ)原理計(jì)算機(jī)把二進(jìn)制數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)為復(fù)合二進(jìn)制數(shù)字信號(hào)（加入分配、核對(duì)、堆棧等指令）讀寫到USB芯片適配接口，通過(guò)芯片處理信號(hào)分配給EEPROM存儲(chǔ)芯片的相應(yīng)地址存儲(chǔ)二進(jìn)制數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，其控制原理是電壓控制柵晶體管的電壓高低值，柵晶體管的結(jié)電容可長(zhǎng)時(shí)間保存電壓值，斷電后能保存數(shù)據(jù)的原因主要就是在原有的晶體管上加入

3、了浮動(dòng)?xùn)藕瓦x擇柵。在源極和漏極之間電流單向傳導(dǎo)的半導(dǎo)體上形成貯存電子的浮動(dòng)棚。浮動(dòng)?xùn)虐粚庸柩趸そ^緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導(dǎo)電流的選擇控制柵。數(shù)據(jù)是0或1取決于在硅底板上形成的浮動(dòng)?xùn)胖惺欠裼须娮印Ｓ须娮訛?，無(wú)電子為1。閃存就如同其名字一樣，寫入前刪除數(shù)據(jù)進(jìn)行初始化。具體說(shuō)就是從所有浮動(dòng)?xùn)胖袑?dǎo)出電子。即將有所數(shù)據(jù)歸“1”。寫入時(shí)只有數(shù)據(jù)為0時(shí)才進(jìn)行寫入，數(shù)據(jù)為1時(shí)則什么也不做。寫入0時(shí)，向柵電極和漏極施加高電壓，增加

4、在源極和漏極之間傳導(dǎo)的電子能量。這樣一來(lái)，電子就會(huì)突破氧化膜絕緣體，進(jìn)入浮動(dòng)?xùn)拧Ｗx取數(shù)據(jù)時(shí)，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動(dòng)?xùn)艣](méi)有電子的狀態(tài)（數(shù)據(jù)為1）下，在柵電極施加電壓的狀態(tài)時(shí)向漏極施加電壓，源極和漏極之間由于大量電子的移動(dòng)，就會(huì)產(chǎn)生電流。而在浮動(dòng)?xùn)庞须娮拥臓顟B(tài)（數(shù)據(jù)為0）下，溝道中傳導(dǎo)的電子就會(huì)減少。因?yàn)槭┘釉跂烹姌O的電壓被浮動(dòng)?xùn)烹娮游蘸?，很難對(duì)溝道產(chǎn)生影響。硬盤（港臺(tái)稱之為硬碟，英文名：HardDisc

5、Drive簡(jiǎn)稱HDD全名溫徹斯特式硬盤）是電腦主要的存儲(chǔ)媒介之一，由一個(gè)或者多個(gè)鋁制或者玻璃制的碟片組成。這些碟片外覆蓋有鐵磁性材料。絕大多數(shù)硬盤都是固定硬盤，被永久性地密封固定在硬盤驅(qū)動(dòng)器中。硬盤的物理結(jié)構(gòu)1、磁頭硬盤內(nèi)部結(jié)構(gòu)磁頭是硬盤中最昂貴的部件，也是硬盤技術(shù)中最重要和最關(guān)鍵的一環(huán)。傳統(tǒng)的磁頭是讀寫合一的電磁感應(yīng)式磁頭，但是，硬盤的讀、寫卻是兩種截然不同的操作，為此，這種二合一磁頭在設(shè)計(jì)時(shí)必須要同時(shí)兼顧到讀寫兩種特性，從而造成了硬

6、盤設(shè)計(jì)上的局限。而MR磁頭（Magesistiveheads），即磁阻磁頭，采用的是分離式的磁頭結(jié)構(gòu)：寫入磁頭仍采用傳統(tǒng)的磁感應(yīng)磁頭（MR磁頭不能進(jìn)行寫操作），讀取磁頭則采用新型的MR磁頭，即所謂的感應(yīng)寫、磁阻讀。這樣，在設(shè)計(jì)時(shí)就可以針對(duì)兩者的不同特性分別進(jìn)行優(yōu)化，以得到最好的讀寫性能。另外，MR磁頭是通過(guò)阻值變化而不是電流變化去感應(yīng)信號(hào)幅度，因而對(duì)信號(hào)變化相當(dāng)敏感，讀取數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性也相應(yīng)提高。而且由于讀取的信號(hào)幅度與磁道寬度無(wú)關(guān)，故磁

7、道可以做得很窄，從而提高了盤片密度，達(dá)到200MB英寸2，而使用傳統(tǒng)的磁頭只能達(dá)到20MB英寸2，這也是MR磁頭被廣泛應(yīng)用的最主要原因。目前，MR磁頭已得到廣泛應(yīng)用，而采用多層結(jié)構(gòu)和磁阻效應(yīng)更好的材料制作的GMR磁頭（GiantMagesistiveheads）也逐漸普及。2、磁道當(dāng)磁盤旋轉(zhuǎn)時(shí)，磁頭若保持在一個(gè)位置上，則每個(gè)磁頭都會(huì)在磁盤表面劃出一個(gè)圓形軌跡，這些圓形軌跡就叫做磁道。這些磁道用肉眼是根本看不到的，因?yàn)樗鼈儍H是盤面上以特殊

8、方式磁化了的一些磁化區(qū)，磁盤上的信息便是沿著這樣的軌道存放的。相鄰磁道之間并不是緊挨著的，這是因?yàn)榇呕瘑卧喔籼鼤r(shí)磁性會(huì)相互產(chǎn)生影響，同時(shí)也為磁頭的讀寫帶來(lái)困難。一張1.44MB的3.5英寸軟盤，一面有80個(gè)磁道，而硬盤上的磁道密度則遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于此值，通常一面有成千上萬(wàn)個(gè)磁道。3、扇區(qū)磁盤上的每個(gè)磁道被等分為若干個(gè)弧段，這些弧段便是磁盤的扇區(qū)，每個(gè)扇區(qū)可以存放512個(gè)字節(jié)的信息，磁盤驅(qū)動(dòng)器在向磁盤讀取和寫入數(shù)據(jù)時(shí)，要以扇區(qū)為單位。1.44

9、MB3.5英寸的軟盤，每個(gè)磁道分為18個(gè)扇區(qū)。4、柱面硬盤通常由重疊的一組盤片構(gòu)成，每個(gè)盤面都被劃分為數(shù)目相等的磁道，并從外緣的“0”開始編號(hào)，具有相同編號(hào)的磁道形成一個(gè)圓柱，稱之為磁盤的柱面。磁盤的柱面數(shù)與一個(gè)盤面上的磁道數(shù)是相等的。由于每個(gè)盤面都有自己的磁頭，因此，盤面數(shù)等于總的磁頭數(shù)。所謂硬盤的CHS，即Cylinder（柱面）、Head（磁頭）、Sect（扇區(qū)），只要知道了硬盤的CHS的數(shù)目，即可確定硬盤的容量，硬盤的容量=柱面