2019年遼寧大學(xué)考研專業(yè)課微電子學(xué)基礎(chǔ)考試大綱

1、2019攻讀碩士學(xué)位研究生招生考試微電子微電子學(xué)基礎(chǔ)學(xué)基礎(chǔ)科目考試大綱一、總體要求一、總體要求主要考察學(xué)生掌握“微電子器件及集成電路”的基本知識(shí)、基本理論的情況，以及用這些基本知識(shí)和基本理論分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力。二、考試內(nèi)容考試內(nèi)容微電子學(xué)基礎(chǔ)的考試內(nèi)容由兩部分構(gòu)成分別為《微電子器件》和《半導(dǎo)體集成電路》的基礎(chǔ)知識(shí)，所占比例基本相同。具體如下：（一）（一）《微電子器件》考試內(nèi)容《微電子器件》考試內(nèi)容1半導(dǎo)體器件基本方程1）一維形式的

2、半導(dǎo)體器件基本方程2）基本方程的主要簡(jiǎn)化形式2PN結(jié)1）突變結(jié)與線性緩變結(jié)的定義2）PN結(jié)空間電荷區(qū)的形成3）耗盡近似與中性近似4）耗盡區(qū)寬度、內(nèi)建電場(chǎng)與內(nèi)建電勢(shì)的計(jì)算5）正向及反向電壓下PN結(jié)中的載流子運(yùn)動(dòng)情況6）PN結(jié)的能帶圖7）PN結(jié)的少子分布圖8）PN結(jié)的直流伏安特性13）晶體管的小信號(hào)參數(shù)14）晶體管的電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系、組成晶體管信號(hào)延遲時(shí)間的四個(gè)主要時(shí)間常數(shù)、高頻晶體管特征頻率的定義、計(jì)算與測(cè)量、影響特征頻率的主要因

3、素15）高頻晶體管最大功率增益與最高振蕩頻率的定義與計(jì)算，影響功率增益的主要因素4絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）1）MOSFET的類型與基本結(jié)構(gòu)2）MOSFET的工作原理3）MOSFET閾電壓的定義、計(jì)算與測(cè)量、影響閾電壓的各種因素、閾電壓的襯底偏置效應(yīng)4）MOSFET在非飽和區(qū)的簡(jiǎn)化的直流電流電壓方程5）MOSFET的飽和漏源電壓與飽和漏極電流的定義與計(jì)算6）MOSFET的輸出特性和轉(zhuǎn)移特性（包括常見的二級(jí)效應(yīng)）（二）半導(dǎo)體集成電