中國存儲發(fā)力 韓企受到威脅

1、中國存儲發(fā)力中國存儲發(fā)力韓企受到威脅韓企受到威脅.doc中國存儲發(fā)力韓企受到威脅.doc中國存儲發(fā)力韓企受到威脅據(jù)韓國中央日報8月9日報道，中國在存儲芯片領(lǐng)域展開了空襲。在被視為半導(dǎo)體起源地的美國硅谷舉行的半導(dǎo)體大會上，中國長江存儲科技有限責(zé)任公司(YMTC)宣布，將從明年開始向市場供應(yīng)32層三維N閃存(以下簡稱N)，并公開了自主三維N量產(chǎn)技術(shù)。中國長江存儲當(dāng)?shù)貢r間8月7日參加在美國圣克拉拉會議中心舉行的閃存峰會(FlashMemySu

2、mmit)，公開了32層三維N樣品。該公司表示，產(chǎn)品將從今年10月開始進行試投產(chǎn)，明年啟動大規(guī)模量產(chǎn)。在此之前，長江存儲曾在去年公開三維N技術(shù)，宣布將在一年后的今年年末啟動量產(chǎn)。中國作為全球最大的存儲芯片市場，中國企業(yè)宣布“自主生產(chǎn)”給全球存儲芯片市場帶來了巨大沖擊。但當(dāng)時業(yè)界普遍認為中國不可能輕易成功實現(xiàn)量產(chǎn)。報道稱，當(dāng)時中國沒有任何生產(chǎn)存儲芯片的基礎(chǔ)，長江存儲又是一家2016年剛剛成立的新生企業(yè)。但現(xiàn)在看來，這家企業(yè)似乎要打破人們的

3、預(yù)期，成立短短三年后就將向市場推出中國生產(chǎn)的存儲芯片。長江存儲是中國國營半導(dǎo)體公司清華紫光集團的子公司，得到存，現(xiàn)在三星電子已經(jīng)具備96層三維N閃存技術(shù)，SK海力士也已經(jīng)具備72層三維N技術(shù)。長江存儲在本屆半導(dǎo)體大會上公開了自主研發(fā)的“Xtacking”三維N閃存量產(chǎn)技術(shù)。該公司首席執(zhí)行官(CEO)楊士寧表示“大部分企業(yè)產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度都在1Gbps左右，行業(yè)最頂級的企業(yè)也只有1.4Gbps”，“但我們使用Xtacking技術(shù)，傳輸速

4、度可以達到3Gbps”，主張本公司產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度可以比行業(yè)最頂級的三星電子快一倍。報道稱，韓國專家們普遍認為這種技術(shù)很難真正實現(xiàn)。一般來說，生產(chǎn)N閃存需要1個晶元，但Xtacking技術(shù)需要兩個晶元。這就意味著，Xtacking工程比普通工程耗費的成本更高。極東大學(xué)半導(dǎo)體設(shè)備工程學(xué)教授崔才成(音)表示“這種工程需要加入將兩個芯片連接在一起的程序，不僅成本高，還會耗費更多的時間，很難實現(xiàn)批量生產(chǎn)”。韓媒認為無論Xtacking技術(shù)具有