電容式觸摸屏的構(gòu)造主要是在玻璃屏幕上鍍一層透明的薄膜導(dǎo)體層

1、電容式觸摸屏的構(gòu)造主要是在玻璃屏幕上鍍一層透明的薄膜導(dǎo)體層，再在導(dǎo)體層外加上一塊保護(hù)玻璃，雙玻璃設(shè)計(jì)能徹底保護(hù)導(dǎo)體層及感應(yīng)器。電容式觸摸屏在觸摸屏四邊均鍍上狹長的電極，在導(dǎo)電體內(nèi)形成一個(gè)低電壓交流電場。在觸摸屏幕時(shí)，由于人體電場，手指與導(dǎo)體層間會(huì)形成一個(gè)耦合電容，四邊電極發(fā)出的電流會(huì)流向觸點(diǎn)，而電流強(qiáng)弱與手指到電極的距離成正比，位于觸摸屏幕后的控制器便會(huì)計(jì)算電流的比例及強(qiáng)弱，準(zhǔn)確算出觸摸點(diǎn)的位置。電容觸摸屏的雙玻璃不但能保護(hù)導(dǎo)體及感應(yīng)器

2、，更有效地防止外在環(huán)境因素對觸摸屏造成影響，就算屏幕沾有污穢、塵?；蛴蜐n，電容式觸摸屏依然能準(zhǔn)確算出觸摸位置。電容式觸摸屏是在玻璃表面貼上一層透明的特殊金屬導(dǎo)電物質(zhì)。當(dāng)手指觸摸在金屬層上時(shí)，觸點(diǎn)的電容就會(huì)發(fā)生變化，使得與之相連的振蕩器頻率發(fā)生變化，通過測量頻率變化可以確定觸摸位置獲得信息。由于電容隨溫度、濕度或接地情況的不同而變化，故其穩(wěn)定性較差，往往會(huì)產(chǎn)生漂移現(xiàn)象。該種觸摸屏適用于系統(tǒng)開發(fā)的調(diào)試階段。ITO薄膜概述摻錫氧化銦（Indi

3、umTinOxide），一般簡稱為ITO。ITO薄膜是一種n型半導(dǎo)體材料，具有高的導(dǎo)電率、高的可見光透過率、高的機(jī)械硬度和良好的化學(xué)穩(wěn)定性。因此，它是液晶顯示器（LCD）、等離子顯示器（PDP）、電致發(fā)光顯示器（ELOLED）、觸摸屏（TouchPanel）、太陽能電池以及其他電子儀表的透明電極最常用的薄膜材料。ITO薄膜發(fā)展真正進(jìn)行ITO薄膜的研究工作還是19世紀(jì)末，當(dāng)時(shí)是在光電導(dǎo)的材料上獲得很薄的金屬薄膜。關(guān)于透明導(dǎo)電材料的研究進(jìn)入

4、一個(gè)新的時(shí)期還是應(yīng)該在第二次世界大戰(zhàn)期間，主要應(yīng)用于飛機(jī)的除冰窗戶玻璃。1950年，在第二種透明半導(dǎo)體氧化物In2O3首次被制成，特別是在In2O3里摻入錫以后，使這種材料在透明導(dǎo)電薄膜方面得到了普遍的應(yīng)用，并具有廣闊的應(yīng)用前景。ITO薄膜的基本性能一、ITO薄膜的基本性能ITO（In2O3:SnO2=9:1）的微觀結(jié)構(gòu)，In2O3里摻入Sn后，元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2薄膜本身的錫含量和氧含量有關(guān)，為了得到較高

5、的載流子濃度（n）可以通過調(diào)節(jié)ITO沉積材料的錫含量和氧含量來實(shí)現(xiàn)；而載流子遷移率（T）則與ITO薄膜的結(jié)晶狀態(tài)、晶體結(jié)構(gòu)和薄膜的缺陷密度有關(guān)，為了得到較高的載流子遷移率（T），可以合理的調(diào)節(jié)薄膜沉積時(shí)的沉積溫度、濺射電壓和成膜的條件等因素。所以從ITO薄膜的制備工藝上來講，ITO薄膜的電阻率不僅與ITO薄膜材料的組成（包括錫含量和氧含量）有關(guān)，同時(shí)與制備ITO薄膜時(shí)的工藝條件（包括沉積時(shí)的基片溫度、濺射電壓等）有關(guān)。有大量的科技文獻(xiàn)和

6、實(shí)驗(yàn)分析了ITO薄膜的電阻率與ITO材料中的Sn、元素的含量，O2以及ITO薄膜制備時(shí)的基片溫度等工藝條件之間的關(guān)系。三、通過低濺射電壓制備ITO薄膜的工藝和方法1、低電壓濺射制備ITO薄膜由于ITO薄膜本身含有氧元素，磁控濺射制備ITO薄膜的過程中，會(huì)產(chǎn)生大量的氧負(fù)離子，氧負(fù)離子在電場的作用下以一定的粒子能量會(huì)轟擊到所沉積的ITO薄膜表面，使ITO薄膜的結(jié)晶結(jié)構(gòu)和晶體狀態(tài)造成結(jié)構(gòu)缺陷。濺射的電壓越大，氧負(fù)離子轟擊膜層表面的能量也越大，

7、那么造成這種結(jié)構(gòu)缺陷的幾率就越大，產(chǎn)生晶體結(jié)構(gòu)缺陷也越嚴(yán)重，從而導(dǎo)致了ITO薄膜的電阻率上升，一般情況下，磁控濺射沉積ITO薄膜時(shí)的濺射電壓在400V左右，如果使用一定的工藝方法將濺射電壓降到200V以下，那么所沉積的ITO薄膜電阻率將降低50%以上，這樣不僅提高了ITO薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，同時(shí)也降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。2、兩種在直流磁控濺射制備ITO薄膜時(shí)，降低薄膜濺射電壓的有效途徑磁場強(qiáng)度對濺射電壓的影響當(dāng)磁場強(qiáng)度為300G時(shí)，濺射電壓約