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1、中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究博士學(xué)位論文零維Ge和一維ZnO納米結(jié)構(gòu)與器件姓名:萬青申請學(xué)位級別:博士專業(yè):微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師:林成魯王太宏200402126)首次結(jié)合微機(jī)械技術(shù)制作了ZnO納米線氣敏傳感器,研究了器件對乙醇蒸汽、氫氣、~氧化碳等氣體的敏感特性。另外還基于電導(dǎo)開關(guān)模型,對ZnO納米線的氣敏機(jī)理進(jìn)行了討淪。7)首次探索性地研究了ZnO納米線的室溫氫存儲(chǔ)特性。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)在303MPa下,Zn0納米線的儲(chǔ)氫量可以
2、高達(dá)083wt%,而且在一個(gè)大氣壓下,71%1構(gòu)氫可以在室溫時(shí)釋放出來。8)首次研究了四角狀ZnO納米結(jié)構(gòu)光催化降解羅丹明B和2,卜二氯苯酚的特性。結(jié)果表明四角狀ZnO納米結(jié)構(gòu)降解羅丹明B的反應(yīng)過程遵循準(zhǔn)一級反應(yīng)動(dòng)力學(xué),表觀反應(yīng)常數(shù)K’為0046/rain。另外通過對比實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),四角狀ZnO納米結(jié)構(gòu)的光催能力明顯強(qiáng)于Ti02納米顆粒(P25)。關(guān)鍵詞:零維Ge納米結(jié)構(gòu),高K柵介質(zhì),三次光學(xué)非線性,電子存儲(chǔ),納米浮柵存儲(chǔ)器,負(fù)光電導(dǎo),~維
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