微電子學(xué)面試試題

1、模擬電路1、基爾霍夫定理的內(nèi)容是什么？（仕蘭微電子）2、平板電容公式(C=εS4πkd)。（未知）3、最基本的如三極管曲線特性。（未知）4、描述反饋電路的概念，列舉他們的應(yīng)用。（仕蘭微電子）5、負(fù)反饋種類（電壓并聯(lián)反饋，電流串聯(lián)反饋，電壓串聯(lián)反饋和電流并聯(lián)反饋）；負(fù)反饋的優(yōu)點（降低放大器的增益靈敏度，改變輸入電阻和輸出電阻，改善放大器的線性和非線性失真，有效地擴展放大器的通頻帶，自動調(diào)節(jié)作用）（未知）6、放大電路的頻率補償?shù)哪康氖鞘裁矗?/p>

2、有哪些方法？（仕蘭微電子）7、頻率響應(yīng)，如：怎么才算是穩(wěn)定的，如何改變頻響曲線的幾個方法。（未知）8、給出一個查分運放，如何相位補償，并畫補償后的波特圖。（凹凸）9、基本放大電路種類（電壓放大器，電流放大器，互導(dǎo)放大器和互阻放大器），優(yōu)缺點，特別是廣泛采用差分結(jié)構(gòu)的原因。（未知）10、給出一差分電路，告訴其輸出電壓Y和Y求共模分量和差模分量。（未知）11、畫差放的兩個輸入管。（凹凸）12、畫出由運放構(gòu)成加法、減法、微分、積分運算的電路原

3、理圖。并畫出一個晶體管級的運放電路。（仕蘭微電子）13、用運算放大器組成一個10倍的放大器。（未知）14、給出一個簡單電路，讓你分析輸出電壓的特性（就是個積分電路），并求輸出端某點的risefall時間。(Infineon筆試試題)15、電阻R和電容C串聯(lián)，輸入電壓為R和C之間的電壓，輸出電壓分別為C上電壓和R上電壓，要求制這兩種電路輸入電壓的頻譜，判斷這兩種電路何為高通濾波器，何為低通濾波器。當(dāng)RCq還有clock的delay寫出決定

4、最大時鐘的因素，同時給出表達式。（威盛VIA2003.11.06上海筆試試題）18、說說靜態(tài)、動態(tài)時序模擬的優(yōu)缺點。（威盛VIA2003.11.06上海筆試試題）19、一個四級的Mux其中第二級信號為關(guān)鍵信號如何改善timing。（威盛VIA2003.11.06上海筆試試題）20、給出一個門級的圖，又給了各個門的傳輸延時，問關(guān)鍵路徑是什么，還問給出輸入，使得輸出依賴于關(guān)鍵路徑。（未知）21、邏輯方面數(shù)字電路的卡諾圖化簡，時序（同步異步差

5、異），觸發(fā)器有幾種（區(qū)別，優(yōu)點），全加器等等。（未知）22、卡諾圖寫出邏輯表達使。（威盛VIA2003.11.06上海筆試試題）23、化簡F(ABCD)=m(1345101112131415)的和。（威盛）24、pleaseshowtheCMOSinverterschmaticlayoutitscrosssectionwithPwellprocess.Plotitstransfercurve(VoutVin)alsoexplainthe

6、operationregionofPMOSNMOSfeachsegmentofthetransfercurve（威盛筆試題circuitdesignbeijing03.11.09）25、TodesignaCMOSinvertwithbalancerisefalltimepleasedefinetherationofchannelwidthofPMOSNMOSexplain26、為什么一個標(biāo)準(zhǔn)的倒相器中P管的寬長比要比N管的寬長比大？（仕

7、蘭微電子）27、用mos管搭出一個二輸入與非門。（揚智電子筆試）28、pleasedrawthetransistlevelschematicofacmos2inputgateexplainwhichinputhasfasterresponsefoutputrisingedge.(lessdelaytime)。（威盛筆試題circuitdesignbeijing03.11.09）29、畫出NOTNN的符號，真值表，還有transistle

8、vel的電路。（Infineon筆試）30、畫出CMOS的圖，畫出towtoonemuxgate。（威盛VIA2003.11.06上海筆試試題）31、用一個二選一mux和一個inv實現(xiàn)異或。（飛利浦－大唐筆試）32、畫出Y=ABC的cmos電路圖。（科廣試題）33、用邏輯們和cmos電路實現(xiàn)abcd。（飛利浦－大唐筆試）34、畫出CMOS電路的晶體管級電路圖，實現(xiàn)Y=ABC(DE)。（仕蘭微電子）35、利用4選1實現(xiàn)F(xyz)=xzy