低溫等離子體處理含汞廢氣的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文采用自主研發(fā)的直流高壓窄脈沖低溫等離子體反應(yīng)裝置（包括等離子體電源和反應(yīng)器），進(jìn)行了等離子體處理含汞廢氣的實驗研究，重點研究了電源參數(shù)（脈沖頻率、放電電壓）及模擬煙氣中O2含量、H2O含量、HCl添加量及NO、SO2濃度對Hg0氧化效率的影響。實驗表明：電壓越高越有利于單質(zhì)汞的氧化，12KV電壓時，脈沖頻率以600-800PPS為宜。隨著Hg0初始濃度增加，氧化效率先增后減，Hg0初始濃度為125.3ug/m3時效率最高；添加O2可

2、以增大反應(yīng)器中O3等活性氧化物的濃度，從而促進(jìn)氧化；NO、SO2的加入則會抑制汞的氧化，且NO抑制作用明顯，主要是由于NO和Hg0競爭與O3發(fā)生反應(yīng)；HCl的加入會促進(jìn)汞的氧化，但會使汞初始濃度發(fā)生變化；低含量H2O促進(jìn)汞的氧化，高含量H2O抑制汞的氧化，水蒸汽的加入也會對影響汞初始濃度值。電源為12KV、600-800PPS且煙氣成分為10％O2/3%H2O/50ppmHCl體系時，Hg0氧化率最高達(dá)到97.95%；繼續(xù)添加100pp

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