含二氧六環(huán)側(cè)基聚噻吩類電致發(fā)光材料的合成、表征與性能研究

1、浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文含二氧六環(huán)側(cè)基聚噻吩類電致發(fā)光材料的合成、表征與性能研究姓名：姜玉嬌申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：高分子化學(xué)與物理指導(dǎo)教師：鐘國倫201203浙江大學(xué)碩士論文 摘要P B D T 三種聚合物的能級和能隙值，得到三者的能隙分別為為2 ．6 8 e V 、3 ．0 5 e V和2 ．7 9 e V 。三種材料的電子傳輸性能都較好，而空穴注入勢壘較高，因此在器件制作中，我們在I T O 導(dǎo)電玻璃與發(fā)光材料之間引入P E D O

2、T ：P S S ，作為空穴傳輸層，以改善空穴傳輸性能．對P D T 、P D M T 和P B D T 的光學(xué)性能進(jìn)行了對比研究發(fā)現(xiàn)，相對于P D T ，P D M T 由于甲基的引入增加了主鏈的空間扭曲程度，使得溶液和薄膜的吸收峰和發(fā)射峰都發(fā)生一定的藍(lán)移．而P B D T 氯仿稀溶液的吸收峰與發(fā)射峰相對于P D T和P D M T 發(fā)生了紅移，這是取代基的供電子效應(yīng)對主鏈共軛度的影響大于空間位阻效應(yīng)引起的。關(guān)鍵詞：聚噻吩衍生物，二氧