涂層導體用ni5at.w基帶的回復與再結晶行為研究

1、 涂層導體用 Ni-5at.%W 基帶的回復與 再結晶行為研究 重慶大學碩士學位論文 （學術學位） 學生姓名：張婧鵬 指導教師：陳興品 教 授 專 業(yè)：材料科學與工程 學科門類：工 學 重慶大學材料科學與工程學院 二 O 一三年五月重慶大學碩士學位論文 中文摘要 I 摘 要 高溫超導涂層導體以其高的不可逆場和優(yōu)異的導電性能而成為目前研發(fā)的重點。 目前軋制輔助雙軸工藝 （RABITs） 是制備其的首選技術， 已有的研究表明

2、Ni-5 at.%W 是制備基帶的理想材料，因此本文采用粉末冶金制備的 Ni-5 at.%W 基帶冷軋 98%形變量后，對其回復和再結晶的行為進行研究。本文分析了基帶在低溫和高溫下分別退火時再結晶織構的演變，不同預回復處理工藝對基帶在低溫下退火時的再結晶織構的影響，和基帶經 250 ?C 預回復處理后在低溫下退火時再結晶織構的演變。 對冷軋變形量為 98%基帶的研究表明：冷軋狀態(tài)下基帶的顯微組織主要為與RD 方向平行的片層狀組織(LB)

3、， 此時獲得的織構為 Cooper-type 織構，Cube 織構的含量僅為 1%。 對低溫和高溫下基帶的等溫退火的研究表明：①Cube 取向的晶粒在低溫退火和高溫退火時都具有尺寸優(yōu)勢。②高溫處理后獲得的 Cube 織構含量更高，Cube取向的擇優(yōu)在低溫下主要依靠形核，而在高溫下主要是長大?；鶐г诘蜏叵峦嘶饡r再結晶過程中形成的 Cube 取向的晶粒/晶核一直多于其它取向， 并且在晶粒長大時這種優(yōu)勢依然存在， 但長時間的等溫退火后 Cub

4、e 織構的含量已基本穩(wěn)定在 60%不再發(fā)生變化。高溫退火時再結晶過程中 Cube 織構的含量并不占優(yōu)勢，而是在晶粒長大過程中 Cube 織構的含量不斷增加最終能達到 98%以上。 不同預回復處理工藝對基帶在低溫下退火時的再結晶織構的影響，和基帶經250?C 預回復處理后在低溫退火時再結晶織構的演變的結果表明： ①附加的預回復處理對 Cube 織構和 LAGBs 的含量能產生重大影響。 當 150 ?C -300 ?C 預回復處理時 Cu

5、be 織構的含量能增加 5%-10%，但是更高的預回復處理溫度反而使得它的這種優(yōu)勢降低， 這主要與預回復使得儲存能的減少有關。 LAGBs 的含量在 150 ?C -300 ?C 也有所增加，在 250 ?C 進行預回復處理的含量是直接進行再結晶退火的含量的1.6 倍。②預回復處理工藝能夠促進孿晶的產生。③經 250 ?C 預回復處理后試樣在低溫退火過程中再結晶晶核數(shù)量有所增加， 但 Cube 取向的晶粒/晶核占總晶核的百分比有所下降，