應(yīng)力下的薄膜及納米顆粒的偏析.pdf

1、隨著薄膜技術(shù)的發(fā)展和薄膜材料的應(yīng)用，關(guān)于薄膜表面與界面結(jié)構(gòu)中成分和性質(zhì)變化的研究引起了廣泛的關(guān)注。在表面和體內(nèi)成分的研究中，表面偏析起了較大的作用。與體塊材料相比，薄膜材料厚度有限，缺乏儲(chǔ)存原子的能力，因此，當(dāng)偏析原子到達(dá)材料的表面時(shí)，將會(huì)導(dǎo)致偏析原子在表面層的濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于在體內(nèi)層的濃度。同時(shí)，由于原子間互擴(kuò)散，薄膜和基質(zhì)間的晶粒生長和/或適配等，實(shí)際的偏析效應(yīng)會(huì)受到應(yīng)力的影響，進(jìn)而影響材料的相關(guān)性質(zhì)。
　　本學(xué)論文基于修正的Da

2、rken偏析速率方程和尺寸效應(yīng)的約束條件，根據(jù)應(yīng)力對偏析效應(yīng)的實(shí)際影響，在偏析驅(qū)動(dòng)力-化學(xué)勢中引入應(yīng)力項(xiàng)，推導(dǎo)得出應(yīng)力作用下Darken平衡態(tài)和動(dòng)態(tài)偏析方程，定量計(jì)算了應(yīng)力對薄膜材料表面偏析的影響。并將修正的Darken偏析方程的應(yīng)用從體塊材料和薄膜材料拓寬至納米顆粒。
　　本學(xué)位論文首先介紹了薄膜材料的制備和表征技術(shù)（第一章）；接著對應(yīng)力的測量方法、原理和使用范圍進(jìn)行了綜述（第二章）；基于修正的Darken偏析速率方程，在偏析的