電致發(fā)光(EL)對產(chǎn)業(yè)化常規(guī)晶硅太陽能電池的檢測與分析.pdf

1、目前全球電池組件商業(yè)化生產(chǎn)還是以硅太陽能電池為主，它以其絕對優(yōu)勢仍然處于主導地位。隨著光伏行業(yè)的快速發(fā)展，對電池的質(zhì)量要求越來越高。而電池中的一些缺陷，不但導致電池效率降低，還會對電池質(zhì)量帶來一定隱患。電致發(fā)光(EL)檢測技術，作為一種全新的電池質(zhì)量檢測應運而生。本論文正是基于此，以產(chǎn)業(yè)化常規(guī)單晶硅太陽能電池為基礎，采用電致發(fā)光(EL)技術對工藝生產(chǎn)中出現(xiàn)的各種缺陷進行研究。通過進一步的探究這些問題的來源，并給出合理的解釋以及解決方案，

2、這對公司改進工藝、提高效率和穩(wěn)定生產(chǎn)都有著至關重要的意義。
　　采用電致發(fā)光(EL)檢測技術，不但可以檢測到電池內(nèi)部缺陷，而且可以精確定位，整個成像過程僅需要不到1s。通過檢測圖像中缺陷出現(xiàn)的位置、大小、形狀以及明暗程度等，借助Ⅳ測試、四探針測試、UV測試、SEM測試、國家標準Schimmel法、水煮法、EDS測試、金相顯微鏡、橢偏儀等輔助手段進行研究，判斷出了斷柵、過刻、隱裂、虛印、黑斑、黑點、劃痕、黑片等導致電池效率降低的缺陷

3、來源，發(fā)現(xiàn)PECVD正面打火片其體內(nèi)Si、N、O的成分比發(fā)生明顯改變，并且在波長300-1100nm整個范圍內(nèi)，反射率明顯偏高，在中心波長650nm處達到了10％，而短路電流Isc為9.221mA，比正常片偏低。然后通過數(shù)據(jù)表征、理論分析以及工藝參數(shù)調(diào)試等手段，將硅電池絲印工藝的斷柵比例，由原來的0.748％降為了0.573％。同時證明了倒角發(fā)黑片是由原始硅片帶來的，不是公司工藝所引起的。針對電致發(fā)光(EL)技術檢測到的黑邊框、皮帶印、