變頻器IGBT電熱模型分析及散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì).pdf_第1頁
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文檔簡(jiǎn)介

1、隨著電力電子技術(shù)和器件封裝技術(shù)的發(fā)展，大功率電力電子器件的微型化和集成化程度不斷提高，從而使變頻器的容量得到大幅度提高，變頻器散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)已成為提升其性能的關(guān)鍵問題。
　　而現(xiàn)有的變頻器中采用的功率器件主要是以IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊為主，變頻器產(chǎn)生的熱量絕大部分是由IGBT模塊的功率損耗引起的，因此變頻器的散熱問題主要是變頻器中IGBT模塊的散熱。本文從IGBT的電、熱模型分析出發(fā)，結(jié)合 IGBT芯片的散熱理論和變頻器

2、IGBT模塊的具體工作過程，以由6個(gè)IGBT模塊（富士公司：2MBI660VN-120-50）組成的一款變頻器展開，深入研究其散熱問題的解決并加以驗(yàn)證。
　　本文首先詳細(xì)介紹變頻器的工作原理和IGBT散熱的基本理論，然后具體分析變頻器IGBT模塊的開關(guān)工作過程。然后在此基礎(chǔ)上，對(duì)IGBT的電、熱模型進(jìn)行分析，進(jìn)一步研究IGBT的工作特性和等效熱路，并推導(dǎo)建立出三相變頻器系統(tǒng)逆變電路部分的整體等效熱路模型。
　　接著，針對(duì)具體

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