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文檔簡介
1、石墨相氮化碳(g-C3N4)因其廣泛的來源組成,優(yōu)異的電化學(xué)性能及合適的禁帶寬度使其具有在電池、光催化、光降解、環(huán)保等方面的巨大潛在應(yīng)用而受到越來越多的關(guān)注。g-C3N4含有大量的氨基和嗪環(huán)結(jié)構(gòu)以及在酸性條件下表面攜帶正電荷,因此可以用作重金屬及有機污染物的吸附劑來處理工業(yè)污染物。g-C3N4的層狀結(jié)構(gòu)與TATB層狀結(jié)構(gòu)相似,可對TATB晶體生長產(chǎn)生影響。本文以g-C3N4材料為研究對象,對其制備方法及在工業(yè)污染物、TATB晶體生長方面
2、的應(yīng)用進(jìn)行了探索。論文的主要研究內(nèi)容如下:
?。?)以三聚氰胺、氯化鋰為原料,通過兩步熱聚合法制備了多孔石墨相氮化碳。借助XRD、FTIR、XPS、SEM、TEM、BET對樣品的成分、形貌、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、比表面積和孔體積進(jìn)行表征,獲得了比表面積為86.7m2/g、平均孔徑為7nm、形貌為棒狀的多孔石墨相氮化碳(P-g-C3N4)。與簡單熱聚合法制備的塊狀結(jié)構(gòu)氮化碳相比,多孔氮化碳比表面積得到了很大的提升。
?。?)以實驗所制
3、備的塊體g-C3N4和P-g-C3N4為吸附劑對Pb(Ⅱ)和亞甲基藍(lán)(MB)進(jìn)行吸附性能研究。利用電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀(ICP)和紫外-可見分光光度計(UV-Vis)對吸附量進(jìn)行測試。研究了多孔g-C3N4對Pb(Ⅱ)的吸附動力學(xué)、吸附等溫線并對吸附等溫線進(jìn)行Langmuir和Freundlich模型擬合;研究了pH對平衡吸附量的影響,探索了其循環(huán)利用性能。同時,研究多孔g-C3N4和塊體g-C3N4對亞甲基藍(lán)的吸附動力學(xué)性能。得
4、到了P-g-C3N4對Pb(Ⅱ)的吸附動力學(xué)模型,以及P-g-C3N4、塊體g-C3N4對亞甲基藍(lán)的吸附動力學(xué)參數(shù)。
?。?)以濃H2SO4為溶劑,用溶劑/非溶劑法制得了螺旋結(jié)構(gòu)的TATB晶體,利用XRD、SEM、Raman對晶體的物相、形貌和表面成分進(jìn)行表征。研究了過飽和度和結(jié)晶時間對TATB螺旋結(jié)構(gòu)的形成及TATB結(jié)晶形貌的影響,探索了螺旋結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的機理。實驗中得到的TATB晶體按照螺旋位錯驅(qū)動生長模式生長,而螺旋位錯的形成
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