2022電子中期策略四季輪回冬藏春發(fā)

1、1 全球半 全球半導(dǎo)體市場(chǎng)加大 體市場(chǎng)加大資本開支 本開支1.1 2022 年年度資本開支將創(chuàng)新高 新高年度資本支出將超 年度資本支出將超 1,900 1,900 億美元 億美元。在 2021 年以前，半導(dǎo)體行業(yè)的年度資本支出從未超過(guò) 1,150 億美元。2021 年，半導(dǎo)體公司顯著增加了資本開支以擴(kuò)充產(chǎn)能。據(jù) IC Insights 統(tǒng)計(jì)， 2021 年全球半導(dǎo)體行業(yè)資本支出為 1,539 億美金， 同比增長(zhǎng) 36?

2、。 2022年全球半導(dǎo)體行業(yè)資本支出將達(dá) 1,904 億美金，同比增長(zhǎng) 24?，創(chuàng)歷史新高。圖 1 2008-2022F 全球半導(dǎo)體行業(yè)資本支出IC Insights1.2 國(guó)際龍頭擴(kuò)產(chǎn)以先 產(chǎn)以先進(jìn)制程為主 為主臺(tái)積電、 積電、三星、英 星、英特爾三 爾三家公司共 公司共占據(jù)行業(yè) 據(jù)行業(yè)支出總 出總額的一半 的一半以上。臺(tái)積電、三星、英特爾為擴(kuò)大其在晶圓代工領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)，2022 年紛紛加大資本開支。臺(tái)積電預(yù)計(jì) 2022年資本開

3、支達(dá) 400-440 億，同比增長(zhǎng) 33.2%-46.5%，主要用于 7nm 和 5nm 先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)。 三星 2022 年在芯片領(lǐng)域的資本支出約為 379 億美元， 同比增長(zhǎng) 12.46%。 英特爾 2022年的資本開支預(yù)計(jì)將達(dá)到 250 億美元。圖 2 2022 年半導(dǎo)體行業(yè)資本開支情況臺(tái)積電三星英特爾 其他公司IC Insights，公司官網(wǎng)，高達(dá) 26 。臺(tái)積電在一季度法說(shuō)會(huì)上表示，HPC（高性能計(jì)算）將會(huì)是

4、公司今年增長(zhǎng)最快的領(lǐng)域。圖 5 2022 Q1 臺(tái)積電按下游應(yīng)用領(lǐng)域劃分營(yíng)收構(gòu)成 圖 6 2022 Q1 臺(tái)積電各應(yīng)用領(lǐng)域增幅TSMC TSMC2.3 向小節(jié)點(diǎn)工藝制程 藝制程發(fā)展臺(tái)積電先進(jìn)制程營(yíng) 臺(tái)積電先進(jìn)制程營(yíng)收占比高， 高，3nm 3nm 芯片擬今年量 芯片擬今年量產(chǎn)。2021 Q1-2022 Q1，臺(tái)積電按制程劃分的營(yíng)收構(gòu)成，7nm 制程平均占比 31 ，是營(yíng)收中占比最高的制程。公司產(chǎn)能也向先進(jìn)制程傾斜，7nm 和 5nm 制

5、程芯片主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)橹悄苁謾C(jī)應(yīng)用處理器、高性能計(jì)算、 基帶芯片等領(lǐng)域。 臺(tái)積電于臺(tái)南 Fab18 新建的 3nm 制程芯片廠將于今年下半年量產(chǎn)， 2nm 制程芯片最早于 2025 年投產(chǎn)。圖 7 2021 Q1-2022 Q1 臺(tái)積電按制程劃分的營(yíng)收構(gòu)成100%0.25µm及以上75%0.15/0.18µm0.11µm/0.13µm50%90nm 65nm25%40/45nm 28