界面插入層對二次生長ZnO納米線形貌和光電性能的調(diào)控.pdf

1、ZnO納米線由于具有寬直接帶隙(～3.4 eV)，大激子結(jié)合能(～60 meV)，強(qiáng)激子振蕩強(qiáng)度（Rabi劈裂能～200 meV），高結(jié)晶質(zhì)量和高度對稱的六棱柱形狀等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是優(yōu)秀的短波長光電子材料，并且有望能用于制備光子學(xué)和（光）電器件如諧振腔、波導(dǎo)管、發(fā)光二極管、激光器等。在上述應(yīng)用中，ZnO納米線形貌和性能的優(yōu)劣將起到至關(guān)重要的作用。因此實(shí)現(xiàn)對ZnO形貌尺寸和性能的調(diào)控，不僅可以有助于提升其未來的應(yīng)用發(fā)展，同時也是一個巨大的挑

2、戰(zhàn)。在此背景下，我們針對ZnO形貌尺寸調(diào)控、帶邊熒光輻射增強(qiáng)和CVD生長中ZnO納米線的生長機(jī)理等方向展開研究。本論文主要內(nèi)容如下:
　　在第一章中，我們首先介紹了ZnO納米材料制備和生長機(jī)理的基本知識。隨后，我們介紹和總結(jié)了ZnO納米材料的摻雜方法、形貌和性能調(diào)控等領(lǐng)域的研究現(xiàn)狀。最后，我們論述了本論文研究的科學(xué)意義和主要內(nèi)容。
　　在第二章中，我們發(fā)展一種在一次生長ZnO納米線的表面包裹少層TiOx再生長的策略，成功實(shí)現(xiàn)

3、了ZnO納米線徑向生長速率兩個數(shù)量級的提升。研究發(fā)現(xiàn)Ti元素在生長過程中，一直“浮”在生長的前端（納米線的外表面），而非摻雜在納米線的內(nèi)部。這種Ti元素獨(dú)特的“浮”式調(diào)控生長的行為，確保了包裹再生長納米線仍具有優(yōu)異的光學(xué)與電學(xué)性能:其室溫和低溫(83K)帶邊發(fā)光強(qiáng)度比參照的常規(guī)納米線樣品分別提升約5倍和10倍;而其電導(dǎo)率(～104 S/m)和載流子濃度(～1019 cm-3)均比參照樣品提高1個數(shù)量級。此外，我們還研究分析了對應(yīng)生長過程

4、的可能機(jī)理，提出了一種基于Ti-Zn離子交換反應(yīng)的生長圖像。
　　在第三章中，我們通過ALD方法，在ZnO納米線的表面包裹了少層AlxOy薄膜，然后進(jìn)行再生長，該方法能成功制備界面△-鋁摻雜的ZnO納米線。不同于以往重?fù)诫sZnO納米線帶邊熒光輻射退化的現(xiàn)象，該界面△摻雜納米線的室溫帶邊發(fā)光強(qiáng)度，比參照的一次生長納米線樣品大20倍以上，其可見熒光發(fā)射卻減弱6倍。我們的研究表明:界面Al摻雜納米線的帶邊熒光增強(qiáng)，主要?dú)w因于非輻射復(fù)合過

5、程的抑制和輻射復(fù)合過程的增強(qiáng)。同時系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)測量和模擬計(jì)算分析進(jìn)一步闡明:界面摻雜納米線中非輻射過程的抑制，源于樣品中高載流子濃度屏蔽了晶格熱振動對激子的非輻射弛豫的影響，而輻射過程的增強(qiáng)則源于低折射率Al摻雜界面層的光場局域增強(qiáng)效應(yīng)。
　　在第四章中，我們發(fā)現(xiàn)了通過提高生長前載氣中O2濃度，能生長分節(jié)的ZnO納米線的現(xiàn)象。根據(jù)實(shí)驗(yàn)觀測結(jié)果和Zn核自催化生長理論，我們提出了一種能夠理解該現(xiàn)象的可能生長圖像。隨后，結(jié)合實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)和相關(guān)

6、的成核理論，我們成功解釋了延長源反應(yīng)穩(wěn)定時間對納米線徑向尺寸和成核密度的調(diào)控現(xiàn)象。此外，我們通過納米線軸向生長輸運(yùn)模型，對納米線徑向尺寸和軸向長度之間的關(guān)系進(jìn)行了合理的解釋。最后，采用第一性原理泛函密度法，我們計(jì)算了Ti和Al摻雜的替位能量差和摻雜后的ZnO表面能，并以此結(jié)果解釋了表面修飾的少層TiOx和AlxOy在再生長中不同的生長調(diào)控和摻雜行為。
　　在第五章中，我們對ZnO納米材料的后續(xù)研究工作進(jìn)行了展望，并提出了相應(yīng)的建議