鉍納米線的取向控制生長(zhǎng)和熱學(xué)性能研究.pdf

1、半金屬鉍具有奇異的物理性能，是研究量子輸運(yùn)現(xiàn)象的基礎(chǔ)材料。Bi納米線的物性不僅與其直徑有關(guān)，而且與生長(zhǎng)取向也有很大關(guān)系。本文的目的在于采用脈沖電化學(xué)沉積技術(shù)，借助于陽極氧化鋁模板，生長(zhǎng)不同直徑和不同取向的單晶Bi納米線，研究Bi納米線的熱學(xué)性能及其取向依賴性。從而為進(jìn)一步深入理解金屬和半金屬的準(zhǔn)一維納米材料的可控生長(zhǎng)機(jī)制與奇異物性的起因起到一定的指導(dǎo)作用，并為納米熱電材料的最終應(yīng)用奠定一定的基礎(chǔ)。
　　 采用硫酸和草酸溶液作為電

2、解液，通過兩步陽極氧化法制備出了直徑分別為12、36、60和80 nm的陽極氧化鋁模板。在此基礎(chǔ)上，采用脈沖電化學(xué)沉積技術(shù)，成功地生長(zhǎng)出直徑分別為12，36和60nm、[202]取向的單晶Bi納米線陣列和[104]，[110]和[202]三種取向、直徑為60 nm的單晶Bi納米線陣列。
　　 熱重分析表明，在所研究的溫度范圍內(nèi)Bi納米線質(zhì)量沒有明顯減小。采用差熱掃描量熱儀和多功能X射線衍射儀對(duì)Bi納米線的熔點(diǎn)和熱膨脹行為進(jìn)行了系