版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、碲銦汞(Hg3In2Te6,MIT)具有優(yōu)異的光電性能和強(qiáng)的抗輻射性,是一種有前途的短波紅外探測(cè)器材料,尤其是在光纖通訊領(lǐng)域和輻射環(huán)境下。由于生長(zhǎng)和加工工藝的影響,MIT晶體中往往存在多種結(jié)構(gòu)缺陷,比如,空位或間隙原子、位錯(cuò)、孿晶界和沉淀相,從而直接或間接地影響 MIT的材料參數(shù)與器件性能。要想通過(guò)減少甚至去除有害缺陷,制備出高質(zhì)量的MIT晶體及優(yōu)異的器件,首先要對(duì)MIT缺陷進(jìn)行準(zhǔn)確地表征和分析,如缺陷的種類(lèi)、數(shù)目和產(chǎn)生機(jī)制等。因此,本
2、論文對(duì)MIT的各種缺陷進(jìn)行了系統(tǒng)地表征與分析,確定了主要的缺陷,獲得了它們的特征信息,并探討了其形成機(jī)制。
采用高分辨透射電子顯微術(shù)(HRTEM)和選區(qū)電子衍射(SAED)發(fā)現(xiàn) MIT晶錠中存在著至少兩種新的結(jié)構(gòu)空位有序相,它們對(duì)應(yīng)的超點(diǎn)陣斑點(diǎn)分別為1/3{422}和1/6{422}。粉末X射線(xiàn)衍射(XRD)圖譜表明結(jié)構(gòu)空位有序相的體積分?jǐn)?shù)低于5%。少量結(jié)構(gòu)空位有序相的存在表明無(wú)序-有序相變沒(méi)有完全被避免,其原因是MIT無(wú)序相
3、的熱導(dǎo)率低和爐冷的實(shí)際降溫速度不夠快。有序相1的空間點(diǎn)群為P3m1(no.156),晶格常數(shù)a1=b1=2a/2,c1=23a,α=β=90°,γ=120°,結(jié)構(gòu)空位完全有序。有序相2的空間點(diǎn)群為P3m1(no.156),晶格常數(shù)a2=b2=2a,c2=3a,α=β=90°,γ=120°,結(jié)構(gòu)空位部分有序,有序度為0.5。相變時(shí),隨著結(jié)構(gòu)空位的聚集,首先形成有序相2,然后轉(zhuǎn)變?yōu)橛行蛳?并繼續(xù)長(zhǎng)大,最后有序相1中的空位片坍塌。
4、采用HRTEM和SAED發(fā)現(xiàn)MIT晶錠中HgIn2Te4沉淀相和Hg5In2Te8沉淀相共存,表明分解反應(yīng)2Hg3In2Te6= Hg5In2Te8+ HgIn2Te4確實(shí)存在。粉末XRD圖譜說(shuō)明它們的體積分?jǐn)?shù)小于5%,從而只有少量的MIT基體發(fā)生了分解。采用TEM暗場(chǎng)像和HRTEM發(fā)現(xiàn) HgIn2Te4沉淀相為桿狀,并具有三種變體。通過(guò)模擬 SAED花樣并與實(shí)際花樣相對(duì)比,顯示這三種變體的擇優(yōu)生長(zhǎng)方向沿MIT基體的<001>晶向族。H
5、RTEM結(jié)果表明HgIn2Te4沉淀相與 Hg3In2Te6基體的界面完全共格,不存在界面位錯(cuò)。采用電子輻射實(shí)驗(yàn)表明上述分解反應(yīng)在熱力學(xué)上是自發(fā)進(jìn)行的,并通過(guò)高溫XRD實(shí)驗(yàn)進(jìn)一步確認(rèn)了反應(yīng)的存在。
采用場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)發(fā)現(xiàn)MIT(111)面單晶的位錯(cuò)蝕坑形貌主要為線(xiàn)形、棗形和梭形,后兩者的溝槽在(111)表面的投影即黑線(xiàn)互成120°夾角。利用電子背散射衍射(EBSD)技術(shù)測(cè)出黑線(xiàn)的取向分別為[112]、[1
6、21]和[211]。上述三種蝕坑的形成是因?yàn)樵诟邷叵?,晶體中的螺位錯(cuò)遇到了結(jié)構(gòu)空位及其衍生缺陷的阻礙,發(fā)生雙交滑移,這也使得MIT的位錯(cuò)蝕坑形貌異于HgCdTe和HgMnTe等HgTe基閃鋅礦晶體。EDS成分測(cè)試表明,位錯(cuò)畸變處In比Hg更容易被腐蝕,意味著In-Te鍵變得比Hg-Te鍵弱。腐蝕時(shí)晶片的晃動(dòng)、拋光液的種類(lèi)和腐蝕液的配比都對(duì)MIT的腐蝕形貌沒(méi)有太大的影響。采用HRTEM發(fā)現(xiàn)MIT晶體中存在大量的1/6[121]位錯(cuò),且分布
7、不均勻。
采用EBSD和單截面跡線(xiàn)分析法發(fā)現(xiàn)MIT存在三種孿晶。第一種孿晶具有一對(duì)平行且鄰近共格的孿晶界,第二種孿晶具有一對(duì)平行且非共格的孿晶界,而第三種孿晶沒(méi)有平行的孿晶界。第二種和第三種比第一種常見(jiàn),這表明 MIT中的大多數(shù)孿晶界為非共格孿晶界。孿晶尺寸小,而且沒(méi)有多個(gè)孿晶平行排列的現(xiàn)象。分析表明 MIT中的孿晶是變形孿晶。MIT中彎曲的孿晶界由長(zhǎng)且直的共格孿晶界、短且直的臺(tái)階以及一些彎曲的過(guò)渡段組成。高密度結(jié)構(gòu)空位的存在
8、導(dǎo)致 MIT中存在著高密度的結(jié)構(gòu)空位團(tuán)簇、弗蘭克爾不全位錯(cuò)和有序相沉淀。這些缺陷可以阻礙孿生位錯(cuò)的滑移,影響孿晶界的共格和形狀。孿晶遇到的上述缺陷越多,就越偏離平行而共格的形貌。HRTEM和EBSD分析表明,結(jié)構(gòu)空位的存在并未改變孿生面和孿生方向。EBSD的花樣質(zhì)量分析指出,大多數(shù)孿晶的應(yīng)變大于對(duì)應(yīng)的基體。
采用Rietveld精修,計(jì)算出MIT晶錠中部晶片的Hg空位濃度最低,為9.1×1019 cm-3,而尾部最高。采用EB
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 晶格缺陷對(duì)閃鋅礦電子結(jié)構(gòu)影響的第一性原理研究.pdf
- ZnTe的晶體生長(zhǎng)、性能表征與缺陷研究.pdf
- rtm制品缺陷分析與表征
- cd,0.96zn,0.04te晶體的缺陷分析及應(yīng)力測(cè)試
- RTM制品缺陷分析與表征.pdf
- SAPMAC法生長(zhǎng)Al2O3晶體的云霧缺陷分析.pdf
- Hg-,1-x-Mn-,x-Te晶體的生長(zhǎng)改性與性能表征.pdf
- 3晶體中的雜質(zhì)與缺陷電子態(tài)
- 晶體的缺陷2.5
- Tm:YAP晶體生長(zhǎng)與缺陷分析.pdf
- 晶體缺陷習(xí)題與答案
- 點(diǎn)缺陷空位的表征與計(jì)算.pdf
- 基線(xiàn)缺陷光子晶體波導(dǎo)色散性質(zhì)分析.pdf
- 晶體硅太陽(yáng)電池缺陷分析與激光隔離
- 中子輻照6H-SiC晶體缺陷的XRD檢測(cè).pdf
- 晶體缺陷能學(xué)計(jì)算及鈮酸鋰的缺陷結(jié)構(gòu).pdf
- 鍍錫板沖壓缺陷分析及沖壓性能表征.pdf
- 碲鋅鎘單晶體的生長(zhǎng)與缺陷.pdf
- 稀磁半導(dǎo)體Hg-,1-x-Mn-,x-Te的晶體生長(zhǎng)及性能表征.pdf
- 中子輻照6H-SiC的缺陷分析與應(yīng)用.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論