中子輻照6H-SiC晶體缺陷的XRD檢測(cè).pdf

1、SiC作為第三代半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)良的物理、機(jī)械性能等,日益成為電子器件、耐磨材料、核材料等方面研究的熱點(diǎn)。在核材料方面,SiC／SiCf復(fù)合材料被認(rèn)為是最有可能成為聚變堆結(jié)構(gòu)材料。
　　 退火回復(fù)階段作為輻照誘導(dǎo)缺陷產(chǎn)生及演化過程的重要階段,一直是輻照損傷研究的重點(diǎn)。針對(duì)這一階段所開展的物性實(shí)驗(yàn)方法有多種,例如宏觀尺寸、晶格常數(shù)、熱膨脹、電導(dǎo)率等。本文利用X射線衍射這一結(jié)構(gòu)分析的重要手段來研究輻照缺陷的退火回復(fù),并探討使用常規(guī)

2、X射線粉末衍射儀測(cè)試單晶體的X射線衍射峰的半高寬所出現(xiàn)的一系列問題及其解決方法。
　　 本文在闡述了有關(guān)實(shí)驗(yàn)方面重要基礎(chǔ)知識(shí)的同時(shí),深入地研究了中子輻照6H-SiC缺陷退火回復(fù)的X射線衍射檢測(cè)技術(shù),并對(duì)影響這一技術(shù)的各種因素加以分析,得出以下結(jié)論:
　　 (1)儀器參數(shù)設(shè)置的不同對(duì)X射線衍射譜線有一定的影響,測(cè)試時(shí)必須保證參數(shù)設(shè)置的一致性。
　　 (2)在單晶中,偏角的存在將導(dǎo)致X射線衍射儀探測(cè)器的旋轉(zhuǎn)滯后或超前