晶體中稀土Kramers離子自旋哈密頓參量的理論研究.pdf

1、含稀土離子的晶體有優(yōu)良的光學和磁學性質,因而有廣泛的用途.電子順磁共振(EPR)譜及光譜是研究摻過渡和稀土金屬離子晶體及絡合物的光學和磁學等性質并揭示其微觀結構的有力工具.EPR譜常用自旋哈密頓參量描述.前從對自旋哈密頓參量理論的研究多局限于較簡單的情況,如對基態(tài)為Kramers雙重態(tài)的稀土離子(即f電子為奇數(shù)),常只研究基多重態(tài)內的相互作用,而忽略了晶場引起的基態(tài)及激發(fā)態(tài)多重態(tài)之間的J-混合及具有相同不可約表示的Kramers雙重態(tài)之

2、間的混合等其它一些因素的貢獻,故難以對自旋哈密頓參量作出合理的定量解釋.由于基態(tài)為Kramers雙重態(tài)的稀土離子的自旋哈密頓參量涉及到許多具有重要應用價值的包含稀土離子的激光材料、發(fā)光材料、非線性光學和半導體材料以及生命物質,上述研究有重要的理論和應用意義.為了克服前人對晶體中稀土離子自旋哈密頓參量的理論處理中在理論模型和計算方法等方面存在的缺陷,該文采用較統(tǒng)一的方法和思路對晶場中稀土離子最低Kramers雙重態(tài)的自旋哈密頓參量(各向異