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文檔簡介
1、最近,作為最有潛力的自旋電子學器件,由過渡金屬取代形成的Ⅲ-Ⅴ族稀磁半導體受到越來越多的關注。我們采用原子軌道線性組合方法的SIESTA軟件包進行密度泛函計算,深入分析了閃鋅礦結構的Cr:AlAs稀磁半導體中Cr的分布及其影響。
我們對Cr:AlAs中單取代、雙取代以及多取代組態(tài)進行了計算。同時在計算中也考慮到了鐵磁相和反鐵磁相的不同情況。針對形成能隨兩個Cr原子間距的變化關系也作了研究。
我們的研究表明:在
2、單取代情況下Cr原子傾向于取代Al原子。最活躍的雙取代組態(tài)是反鐵磁性的CrAl-Cri-T1。但是在雙取代情況下,不同磁基態(tài)的組態(tài)都有形成Cr團簇的趨勢,比如:反鐵磁性的CrAl-Cri-T1、反鐵磁性的CrAl-Cri-T2、鐵磁性的CrAl-CrAl等。這與纖鋅礦結構的稀磁半導體CrGa(Al)不一樣。與同質模型相比,Cr:AlAs稀磁半導體的磁矩由于受到反鐵磁性的Cr-Cr團簇的影響而減小。由于不同的Cr團簇具有不一樣的形成能,這
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