InN量子點應(yīng)變分析及其特性研究.pdf

1、首先，本文計算了InN/GaN量子點材料的I臨界厚度。并利用有限元方法，考慮了InN/GaN材料的六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)特性，在相同高寬比下，分別計算了掩埋透鏡形、平頂六角金字塔形和六角金字塔形量子點的應(yīng)變分布。應(yīng)變主要集中在浸潤層和量子點內(nèi)，浸潤層對電子能級有著重要的影響。此外，為了比較三種量子點的穩(wěn)定性，我們還計算了它們的能量，六角金字塔形是最穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果與理論及文獻報道相符合。
　　其次，計算與實驗觀察到的最穩(wěn)定結(jié)構(gòu)均為六角

2、金字塔形，因此我們比較了在相同生長條件下得到的非掩埋和掩埋六角金字塔形量子點的應(yīng)變場分布。同時也計算了兩種量子點的能量。覆蓋層的生長使得量子點內(nèi)引入了新的應(yīng)變，并使導(dǎo)帶能級向高能方向移動，同時也增大了量子點系統(tǒng)的能量。
　　最后，利用X射線雙晶衍射、原子力顯微鏡和光致發(fā)光檢測了三個具有不同高寬比和量子點密度的非掩埋InN/GaN量子點樣品，并進行了比較分析。同時也計算了三種量子點的應(yīng)變場分布和包括浸潤層在內(nèi)的量子點能量，量子點尺寸