電子背散射衍射（EBSD）技術(shù)在材料領(lǐng)域的應(yīng)用.pdf

1、本研究采用浙江大學(xué)分析測試中心的背散射電子衍射分析系統(tǒng)進(jìn)行實驗研究，該分析系統(tǒng)由場發(fā)射掃描電子顯微鏡(SIRION100，F(xiàn)ei公司荷蘭)和電子背散射衍射儀(TSL公司美國)所組成。 本研究驗證了EBSD分析儀的優(yōu)化工作參數(shù)：加速電壓30kv，工作距離10.0mm，真空度高于5×10-5托，光斑：6.0；總結(jié)確定了EBSD的操作步驟：①樣品制備；②標(biāo)準(zhǔn)樣品校正顯微鏡、樣品和衍射儀的相對位置，檢查電鏡工作狀態(tài)是否正常；③樣品安裝；

2、④用SEM獲取圖像并確定分析區(qū)域，使樣品待分析區(qū)域位置與標(biāo)樣的校正點處于同一聚焦位置；⑤條件設(shè)定，收集EBSP圖譜，⑥計算機標(biāo)定圖譜；⑦數(shù)據(jù)存儲。 本論文比較了EBSD試樣的各種制備方法，研究確定制樣方案：電解拋光法和傳統(tǒng)拋光法。金屬材料可采用化學(xué)或電解拋光去除形變層。離子濺射減薄可去除金屬或非金屬材料研磨拋光中形成的形變層。某些結(jié)晶形狀規(guī)則的粉末材料可直接對其平整的晶面進(jìn)行分析。 本研究對塊體材料單晶Si片，純鐵片進(jìn)行

3、EBSD測試分析，實驗結(jié)果與已知結(jié)果一致，驗證了所提出的操作參數(shù)、步驟及制樣方法，確認(rèn)EBSD技術(shù)在材料研究中的分析應(yīng)用開發(fā)的可行性。 本研究利用EBSD技術(shù)測定出了微晶PbTiO3、ZnO晶須和Ag納米棒的超細(xì)粉體材料的晶體結(jié)構(gòu)和晶體取向，并通過對大量晶體顆粒的反復(fù)測試，證實EBSD技術(shù)實驗結(jié)果的一致性。 目前EBSD很少應(yīng)用在細(xì)晶粒粉末材料及納米材料領(lǐng)域，本研究中開展了對細(xì)晶粒粉末材料進(jìn)行EBSD分析測試研究，并應(yīng)用