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1、采用磁控濺射沉積技術(shù),在單晶硅(100)基底上分別制備了兩種不同體系MoS2基多層薄膜:MoS2/DLC(類金剛石碳)多層薄膜和MoS2/MSN(Mo-S-N復(fù)合薄膜)多層薄膜,并考察了調(diào)制周期對(duì)MoS2/DLC多層膜結(jié)構(gòu)及摩擦學(xué)性能的影響,以及調(diào)制比、調(diào)制周期和氮?dú)饬髁糠謩e對(duì)MoS2/MSN多層膜結(jié)構(gòu)及摩擦學(xué)性能的影響。利用掃描電子顯微鏡、拉曼光譜儀、X射線衍射儀、透射電子顯微鏡、納米壓痕儀分別研究了MoS2基多層薄膜形貌、微觀結(jié)構(gòu)及
2、力學(xué)性能,并利用球-盤摩擦試驗(yàn)機(jī)對(duì)薄膜在大氣或真空環(huán)境下潤(rùn)滑性能進(jìn)行考察。
本研究主要內(nèi)容包括:⑴采用多靶射頻磁控濺射方法,在氬氣(Ar)氣氛下濺射MoS2靶和石墨靶制備不同調(diào)制周期MoS2/DLC多層薄膜。結(jié)果表明:交替沉積 MoS2/DLC亞層可有效抑制濺射 MoS2柱狀結(jié)構(gòu)生長(zhǎng),薄膜結(jié)構(gòu)致密。另外,多層膜硬度隨調(diào)制周期增加而增大。與純 MoS2薄膜相比,調(diào)制周期為54 nm多層薄膜具有較好的法向承載及彈性恢復(fù)能力,其硬度
3、可達(dá)7.15 GPa。透射斷面分析表明:該多層膜層間界面不平整但周期性結(jié)構(gòu)清晰且致密,其調(diào)制周期厚度與試驗(yàn)設(shè)定值基本一致。法向載荷為5N時(shí),該多層薄膜在大氣環(huán)境(相對(duì)濕度約30%)下具有最低的摩擦系數(shù)(0.09)和最低的磨損率。⑵采用射頻/反應(yīng)磁控濺射方法,在氮?dú)猓∟2)和氬氣(Ar)混合氣氛下濺射MoS2單靶,制備了系列不同調(diào)制比(tMSN:tMoS2=1:3、1:2、1:1、2:1和3:1),不同調(diào)制周期以及不同氮?dú)饬髁浚?~20s
4、ccm)MoS2/MSN多層薄膜。結(jié)果表明:交替沉積 MoS2/MSN多層薄膜可有效抑制濺射 MoS2薄膜柱狀晶結(jié)構(gòu)生長(zhǎng),其結(jié)構(gòu)致密且呈現(xiàn)非晶態(tài)。當(dāng)Ar/N2流量比設(shè)定為40/4 sccm時(shí),MoS2/MSN多層膜硬度隨調(diào)制比(tMSN:tMoS2)增加而呈現(xiàn)先快速增大后緩慢增大的趨勢(shì),調(diào)制比為1:1時(shí)硬度達(dá)到2.3GPa,最大達(dá)到2.44 GPa,考慮到摩擦要求選定調(diào)制比為1:1(后續(xù)所有實(shí)驗(yàn)選用該比例)。固定Ar/N2流量比為40/
5、4sccm,MoS2/MSN多層膜硬度隨調(diào)制周期增加而增大,硬度變化范圍為0.9~2.38 GPa,考慮到摩擦要求選定調(diào)制周期為30nm。當(dāng)調(diào)制周期固定為30nm時(shí), MoS2/MSN多層膜硬度隨氮?dú)饬髁吭黾佣仍龃蠛鬁p小的趨勢(shì),硬度在2.26~10.47GPa間變化,氮?dú)饬髁繛?0sccm時(shí)薄膜硬度達(dá)到最大值10.47GPa。固定Ar/N2流量比為40/6sccm時(shí),MoS2/MSN多層膜硬度隨調(diào)制周期增加而呈現(xiàn)先增加后降低的趨勢(shì),硬
6、度在1.06~4.13GPa間變化,調(diào)制周期為30nm多層薄膜的硬度和彈性恢復(fù)量均達(dá)到最大,分別為4.13 GPa和41.0%。⑶摩擦結(jié)果分析表明:在高真空(1.3×10-3 Pa)環(huán)境和法向載荷為3 N下,調(diào)制周期為18~30 nm(調(diào)制比為1:1)和氮?dú)饬髁繛?~10 sccm時(shí),MoS2/MSN 多層薄膜表現(xiàn)出低的摩擦系數(shù)(小于0.035)、磨損率(小于1.0×10-6 mm3/(N·m))和長(zhǎng)的耐磨壽命。特別地,調(diào)制周
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