ZnO和AlN薄膜結構及其性能的研究.pdf

1、該文采用磁控濺射方法制備出高質(zhì)量的ZnO和AlN薄膜,用XRD、SEM、XPS、AFM和紅外、紫外分光光度計等測試手段對沉積的薄膜進行了表征.結果表明,對于ZnO薄膜,薄膜的擇優(yōu)取向性與襯底溫度、濺射氣壓、靶基距等工藝參數(shù)有很大關系,而與氬氧比例的大小無明顯的關系;而且在不同工藝參數(shù)條件下,薄膜的沉積速率也呈規(guī)律性變化.ZnO薄膜的SEM表明,樣品表面較平整,且晶粒也比較致密.實驗還發(fā)現(xiàn),隨著襯底溫度的升高,薄膜中產(chǎn)生的氧空位將會增多,

2、使得ZnO薄膜的電導逐漸增大,而且其紫外透射吸收截止邊帶向高波長方向漂移;隨著氬氧比例的增加,薄膜中的氧缺陷相對減少.薄膜的透射吸收截止邊向低波長方向漂移.通過對AlN薄膜的研究發(fā)現(xiàn),襯底溫度、濺射功率、靶基距對AlN薄膜的擇優(yōu)取向性和沉積速率的影響很大;AlN薄膜樣品的XPS分析表明,薄膜中Al和N基本上為理想配比;而且從AlN薄膜樣品的AFM圖中可以看出,不同厚度的薄膜的表面形貌和粗糙度有很大不同.通過AlN薄膜的場發(fā)射性能測試,我