鈦摻雜碳納米管及硫化鎘@碳雜化微納米結(jié)構(gòu)非易失性存儲(chǔ)性能的研究.pdf

1、基于阻值變化來記錄數(shù)據(jù)的阻變存儲(chǔ)器，以其設(shè)備簡單，擁有可觀的微縮化前景，成為最具有前景的下一代非易失性存儲(chǔ)器，國際上這方面研究工作也進(jìn)行得如火如荼。然而，目前阻變機(jī)制的不清晰，以及如何調(diào)控基體材料的阻變性能等問題是其實(shí)用化存在的瓶頸。本文從微納米結(jié)構(gòu)材料著手，研究在外界環(huán)境改變時(shí)其阻值的可逆變化，進(jìn)一步探索了其在新一代非易失性阻變存儲(chǔ)器方面的應(yīng)用，并取得以下成果：
　　(1)分別利用改良的化學(xué)氣相沉積法和低溫燃燒合成法制備出鈦摻雜

2、的碳納米管和硫化鎘@碳雜化微/納米帶。并通過摻雜和雜化等技術(shù)手段對兩種低維半導(dǎo)體微/納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行可控調(diào)制，使它們在外界光、電、熱的作用下呈現(xiàn)出有規(guī)律的阻變行為。
　　(2)在壓阻效應(yīng)研究中，發(fā)現(xiàn)兩種微/納米結(jié)構(gòu)材料在不同應(yīng)變量下的電阻與應(yīng)變大小之間都呈現(xiàn)出有規(guī)律性的變化行為。張應(yīng)變下電阻增大，壓應(yīng)變下電阻降低,且應(yīng)變量越大，阻值變化越大。
　　(3)在電阻開關(guān)效應(yīng)研究中，發(fā)現(xiàn)在一定溫度范圍內(nèi)，鈦摻雜碳納米管隨溫度增加其阻變現(xiàn)

3、象越明顯的變化規(guī)律。
　　(4)在光電導(dǎo)效應(yīng)研究中，發(fā)現(xiàn)硫化鎘@碳雜化微/納米帶在亞帶隙光下，會(huì)出現(xiàn)負(fù)光電導(dǎo)效應(yīng)，且在低電壓下具有良好的持續(xù)性負(fù)光電導(dǎo)。
　　(5)利用應(yīng)變、溫度和紅外光三方面的協(xié)同效應(yīng)對阻變存儲(chǔ)性能進(jìn)行探究，發(fā)現(xiàn)其在外界寫入信號(hào)撤銷后，器件的電阻不會(huì)回到初始的狀態(tài)，意味著信號(hào)得以保存。而且,寫入的信號(hào)可以通過后續(xù)高電壓擦除。在此基礎(chǔ)上，我們發(fā)展了應(yīng)力、電和紅外光三種不同方式寫入的阻變存儲(chǔ)器件。另外，比較各個(gè)