自洽平均場理論在受限對(duì)稱雙嵌段共聚物熔體中的應(yīng)用.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文應(yīng)用自洽場理論研究了對(duì)稱雙嵌段共聚物熔體的自組裝行為,用自洽場理論對(duì)高分子電解質(zhì)與充電平板表面間的自組裝行為進(jìn)行了研究。本研究分為三個(gè)部分:
   ⑴研究了對(duì)稱雙嵌段共聚物在圓柱形納米孔受限條件下的自組裝結(jié)果。用實(shí)空間方法求解平均場方程組,得到自組裝形成同心圓筒層的結(jié)果,以及各層的厚度。并把這些計(jì)算結(jié)果與模擬退火方法的相應(yīng)結(jié)果進(jìn)行了對(duì)比。還通過自由能的比較分析了隨納米孔徑增長出現(xiàn)不同層數(shù)的原因。
   ⑵介紹了可壓縮

2、條件下的嵌段共聚物的自洽平均場理論,把原來的硬球模型變?yōu)榭梢詨嚎s的軟球模型,使其更接近嵌段共聚物的實(shí)際自組裝行為。用實(shí)空間的方法求解平均場方程組,研究了對(duì)稱嵌段共聚物在可壓縮條件下形成層狀結(jié)構(gòu)的相行為。討論了對(duì)稱雙嵌段共聚物的每條鏈的平均自由能fc和聚合物層狀相周期Lo受可壓縮性參數(shù)N/K的影響及可縮性參數(shù)對(duì)有序無序轉(zhuǎn)變的影響。
   ⑶應(yīng)用連續(xù)自洽場理論在基態(tài)主導(dǎo)近似下對(duì)高分子電解質(zhì)與帶電平板表面間的聚集行為進(jìn)行了初步的研究,

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