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文檔簡介
1、高速、高集成度的微電子器件的廣泛應用,使得現(xiàn)代電子設備(系統(tǒng))對靜電放電敏感度大幅度提高,因而有必要對電子設備(系統(tǒng))進行ESD抗擾度試驗。國際電工委員會發(fā)布了靜電放電抗擾度試驗標準IEC61000-4-2,但標準中僅定義了放電電流波形的幾個特征參數(shù),卻還沒有關(guān)于ESD瞬變輻射場的明確規(guī)定。 本文基于IEC61000-4-2標準中規(guī)定的ESD抗擾度試驗平臺,對試驗平臺空間中的輻射電磁場進行了數(shù)值分析與研究。在數(shù)值分析中,電流源取
2、基于脈沖函數(shù)的電流波形表達式,通過將電流源(激勵源)看作有源麥克斯韋方程的一項,自然地將電流源插入到了FDTD網(wǎng)格之中,與其他點相比,源點處具有不同的差分格式,在此基礎上,計算了兩種間接放電情形下耦合板附近輻射場分布情況。文中首先研究了對水平耦合板(HCP)放電情形,在HCP板上方選取了部分典型場點,通過Matlab對各場點電磁場進行了計算,得到了電磁場時域波形,并分析了電磁場時域特性及空間分布情況,同時還對不同放電電壓下電磁場分布做了
3、比較研究;另一種放電情形是指對垂直耦合板(VCP)的放電,文中選取了VCP板前方10cm處的平面上部分場點和HCP板上方部分場點,對其電磁場進行了計算,分析了電磁場時域特性及空間分布情況,同時也研究了在不同放電電壓下電磁場的變化情況,并就兩種放電情形下,距離放電點10cm處的電磁場作了比較分析。 文中還進行了相關(guān)的實驗分析與研究,實驗在滿足標準要求的抗擾度試驗平臺上進行。模擬器采用人體-金屬模型放電網(wǎng)絡,放電電壓選取了標準規(guī)定的
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