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1、隨著晶體生長(zhǎng)技術(shù)的進(jìn)步和半導(dǎo)體器件尺度的不斷縮小，介觀器件越來越受到研究者的關(guān)注。近年來，人們對(duì)半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)量子阱中的量子隧穿現(xiàn)象進(jìn)行了大量的研究，例如GaAs/AlxGa1-xAs型雙勢(shì)壘。研究表明非彈性散射對(duì)于這些器件中電子的輸運(yùn)性質(zhì)具有重要影響，因此近年來越來越受到研究者的重視。
本文選擇使用傳輸矩陣方法來研究聲子輔助隧穿對(duì)雙勢(shì)壘隧穿的透射率的影響，我們建立的理論模型是在雙勢(shì)壘的勢(shì)阱中間位置存在聲子散射。首先在電子—
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