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1、該文主要研究光學聲子輔助半導體雙勢壘共振隧穿問題,同時還討論了光學聲子對半導體電子表面態(tài)的影響.采用轉(zhuǎn)移矩陣法,在連續(xù)介電模型下,研究了非對稱雙勢壘異質(zhì)結(jié)構(gòu)中界面光學(IO)聲子模及其與電子的耦合.研究發(fā)現(xiàn),在此類系統(tǒng)存在的8支IO聲子模中,在長波極限下具有阱材料縱光學聲子(LO)能量的一支與電子的耦合最強.對于聲子輔助GaAs/Al<,x>Ga<,1-x>As非對稱雙勢壘隧穿,用Fermi黃金定則計算了聲子輔助隧穿電流.采用變分理論對
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