含時(shí)雙勢(shì)壘中隧穿磁電阻的研究.pdf

1、隧穿磁電阻效應(yīng)由于磁電阻效應(yīng)大、耗能小等優(yōu)點(diǎn),在計(jì)算機(jī)硬盤的讀出磁頭、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器和各類磁傳感器等方面有重要的應(yīng)用價(jià)值．因?yàn)榭萍嫉倪M(jìn)步，電子器件的尺寸在逐漸的縮小，所以介觀領(lǐng)域中的電子輸運(yùn)受到了人們的極大關(guān)注。
　　本文介紹了隧穿磁電阻效應(yīng)以及與其相關(guān)的理論概念，然后在 Slonczwski的自由電子理論模型下，考慮外加微擾交變電場(chǎng)的影響，計(jì)算了鐵磁體/絕緣體/鐵磁體/絕緣體/鐵磁體雙隧道結(jié)中的透射概率、電導(dǎo)和隧穿磁電阻。

2、>　　首先，在鐵磁體/絕緣體/鐵磁體/絕緣體/鐵磁體隧道結(jié)中不考慮微擾外場(chǎng)時(shí)，利用波函數(shù)匹配方法和轉(zhuǎn)移矩陣法，求解出透射系數(shù)、電導(dǎo)和隧穿磁電阻，并作圖分析．在研究中發(fā)現(xiàn)：分子場(chǎng)角度θ=φ=0時(shí)電導(dǎo)有最大值，TMR有最小值；而在θ=φ=π時(shí)電導(dǎo)有最小值，TMR有最大值；TMR隨著電子入射能量E的增加先減少后增加，在E=0.25eV附近達(dá)有最小值；電子渡越時(shí)間隨中間鐵磁層寬度的增加而迅速增加。
　　其次，考慮微擾交變電場(chǎng)的影響，計(jì)算出